深度丨复盘日美芯片战争，地缘政治的博弈对产业的影响

日本从 1963 年开始，用了 22 年的时间，举全国之力发展的半导体产业，却被美国用了 10 年击垮。然而凭借非实力因素赢下此次战役的美国，也似乎没那么光彩。

珍惜这日美同盟时刻吧

1945 年，日本宣布无条件投降，日本丧失了明治维新后所取得的全部扩张果实，工业基础也被摧毁大半。

虽然美国对扶持日本工业并没有太大兴趣，但为了能够更好的牵制苏联，美国决定加强对日本的控制，同时给予日本大量技术和经济上的扶持。

战败后的日本并没有太多选择，在苏联和美国中，日本选择了亲美，于是日美同盟就诞生了。

日本人口增长大潮带来的人口红利加上美国的技术扶持，使得日本高科技行业迅猛发展。我们所熟知的东芝、三菱、松下、索尼、NEC、夏普等企业，都是在这个时间段建立起来的。

1960 年仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯团队发明了集成电路，是有史以来最重要电子器件集成电路的发明者之一，集成电路技术的诞生也代表着美国的技术领先日本一个时代。

纵向产业链让日本份额攀升

在 20 世纪 70 年代，石油危机爆发，欧美经济停滞，电脑需求放缓，影响了整个半导体行业。此时的日本政府举国之力，扶植科技财阀，让本国电子产业迅速崛起，美国的科技霸权终遇劲敌。

松下、日立、索尼等知名电子厂商，以质优价廉的电子产品，控制了日本国内 90％的电子市场，而且在国际市场上的份额不断上升。

日本各大电子厂商都有自己的完整的纵向产业链，确保了研发、生产、销售的独立自主，而不会依赖于美国的电子产业，不受美国电子产业的支配，这对美国的电子产业构成了挑战。

由日本政府出资 320 亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资 400 亿日元。总计投入 720 亿日元为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构“VLSI 技术研究所”。

日立领头组织 800 多名技术精英，共同研制国产高性能 DRAM 制程设备，目标是近期突破 64K DRAM 和 256K DRAM 的实用化，远期在 10-20 年内，实现 1M DRAM 的实用化。

为了彻底摆脱美国的影响，实现从原料、设备到制造的全部自产自研，让日本半导体行业追赶甚至超越美国，所以日本举全国之力研发 DRAM。

以 DRAM 为入口，依托于汽车和 PC 产业的繁荣，日本 DRAM 产业获得了飞速发展，推动日本半导体走向了巅峰。

硅谷模式反造成终端衰弱

美国电子产业终端产品市场的衰弱，同时就是电子产业链里面所有环节市场的衰弱。其中，遭受打击最大的就是芯片商，价廉质优的日本芯片在世界市场上与美国芯片逐鹿，后者陷入被日本厂家取而代之的困境。

美国的科技公司败在了模式上，硅谷的发展模式是通过风险投资为创业公司注入资金，创业公司获得资金支持后，进行持续的技术创新获得市场，提升公司估值，然后上市，风险资本卖出股票获利退出。

这种模式以市场为导向，效率高，但体量小，公司之间整合资源难，毕竟大家都是一口锅里抢饭吃的竞争对手。

美国的噩梦开始了，1980 年日本攻下 30%的半导体内存市场，5 年后，日本的份额超过 50%，美国被甩在后面。

1985 年是第一个转折点，日本第一次在市场占有率方面超越美国，成为全球最大半导体生产国，日本最高的时候 DRAM 坐拥全球 80%市场。这是半导体产业的第一次转移，由美国到日本，日本成为了新的全球半导体龙头。

美国靠政治手腕开始的反击

1985 年 6 月，美国半导体协会向美国贸易代表办公室就日本电子产品的倾销提起了诉讼，矛头直指日本政府。鉴于对外国芯片业的依赖对美国安全的潜在威胁，美国国防部和中央情报局支持这个起诉。

1986 年春，日本被认定只读存储器倾销；同年 9 月，《美日半导体协议》签署，日本被要求开放半导体市场，保证 5 年内国外公司获得 20%市场份额；不久，对日本出口的 3 亿美元芯片征收 100%惩罚性关税，并否决富士通收购仙童半导体公司。

美国人这一波操作至少开创了两个记录：第一次对盟友的经济利益进行全球打击；第一次以国家安全为由，将贸易争端从经济学变成政治经济学问题。

《美日半导体协定》签订后，所有日本半导体企业都在琢磨，如何用更低的价格，做出更高质量的产品，以便和强行插入国内市场的美国半导体企业竞争。

这份《美日半导体协议》的主要内容是：限制日本半导体对美出口数量、对第三方的出口价格，以及强制扩大美国半导体在日本的市场份额。

这还不算完，1987 年 3 月，里根政府鉴于日本没有执行 1986 年的协议，决定对日本进行高达 3 亿美元的进口限制，限制包括日本产的电视、计算机、电动工具及其他产品。

美国政府宣布，进口限制将一直持续到日本完全遵守 1986 年条约为止，美国的这种进口限制一直持续到 1991 年。

美国通过 301 起诉，换来了 1986 年的条约；通过进口限制，推动条约的实施。连环战术的背后，是日本经济对美国市场的依赖。

1989 年再次和日本签订了不平等条约《日美半导体保障协定》，开放日本半导体产业的知识产权、专利。1991 年，日本的统计口径美国已经占到 22%，但是美国仍旧认为是 20%以下，美国再次强迫日本签订了第二次半导体协议。

贸易摩擦给日本电子制造业造成了两层分化，终端产品萎缩，零部件与设备占比提升；半导体领域 DRAM 开始衰败，设备与材料兴起。除了终端电子产品之外，日本半导体领域也同样出现分化趋势。

扶持韩国对抗日本

当时在半导体行业发展程度还比较低的韩国企业在美国的扶持下迅速发展，美国不仅对韩国授权技术，还指导韩国获得了东芝生产线，并且疯狂挖日本企业的人才。

由此，韩国在闪存半导体领域开始壮大。1990 年 8 月，三星正式成为世界上第三个拥有 16M DRAM 内存芯片的企业。

美国还对韩日发动反倾销，对日本企业征收了 100%的反倾销税，而对韩国只征收 0.74%，在美国的帮助下，韩国的半导体产业迅速崛起，和美日呈三足鼎立之势。

1995 年，在经历了 10 年的抗争之后，日本最终还是缴械投降，这是日本半导体产业最后的余晖，世界半导体企业前十中，NEC（第一）、东芝（第二）、日立制作所（第三）、富士通（第八）、三菱电机（第九）。

1996 年，尽管当时的美国已经在日本的半导体市场份额占到了 30%左右，在全球市场份额也在 30%以上，而日本已经不足 30%，但美国还是想将日本吃干榨净，想要签订第三次不平等半导体条约。

这次在日本政府的斡旋下，最终没有成功，但是日本半导体产业早已元气大伤，韩国已经取代了日本成为了全球半导体产业中心。

结尾：美国对中国实行的不同阶段打击

第一阶段是 20 年前，中国资讯科技产业起飞，但中国未能生产芯片，美国限制芯片供应，左右中国发展；

第二阶段 2000 年中芯国际成立，中国开始规模生产芯片，美国则限制芯片制程，干预中国前进；

第三阶段，华为的海思半导体从无到有，自主设计芯片作为备胎，化解了美国去年《实体清单》出口管制，结果美国采取釜底抽薪，抽起中国半导体的全部供应链。

但我国当前虽有贸易摩擦，但基本卡位了科技创新的每一波潮流，而在这之前日本公司的一些经验教训也值得我们学习。