与非网 10 月 20 日讯,近日,三安集成连续第四次参加电子设计创新大会(EDICON),与通讯行业同仁共同探讨行业热门话题。本次展会,三安集成携最新突破的第三代 HBT 以及 ED-mode pHEMT 制程工艺,为客户呈现两场技术交流分享会。

 

厦门市三安集成电路有限公司(简称“三安集成”)位于厦门市火炬(翔安)高新技术开发区内,成立于 2014 年 5 月,总投资额 30 亿元。三安集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台;具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力,拥有大规模、先进制程能力的 MOCVD 外延生长制造线。

 

三安集成在砷化镓射频芯片制造工艺领域持续投入,不断提高工艺水平,第三代 HBT 工艺可以应用于 HPUE/APT PA,提供了更高的功率密度以及 PAE 水平,支持客户在高频段消费类通讯的应用需求。另外,0.1/0.15/0.25um pHEMT 工艺均已实现量产,可以为客户提供世界一流的生产能力和性能水平。在展会期间,砷化镓射频事业部的林义书处长就 5G 应用市场阐述三安集成的服务能力。

 

为配合客户在射频前端模组的设计需求,三安集成也在积极建设滤波器产业链,于日本成立研发中心,汇集国际尖端科研智慧,及时响应市场动态,为客户提供最新的技术成果;三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的滤波器供应链,垂直整合了研发设计,衬底材料,芯片制造和封装测试等环节,确保稳定持续的产能供应。

 

此外,预计到 2021 年第二季度,产能可以达到 120Mu/ 月。滤波器事业部的谢祥政经理也就表面声波(SAW)滤波器仿真的相关议题进行了分享。