与非网 11 月 2 日讯 近日,A 股电子制造服务商深科技发布公告称,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司新增对外投资,被投资企业为合肥沛顿存储科技有限公司(下称“沛顿存储”)。

 

10 月 16 日,深科技全资子公司沛顿科技与大基金二期、合肥经开投创以及关联方中电聚芯签署《投资协议》,共同出资设立沛顿存储,注册资本 30.6 亿元。

 

其中,沛顿科技、大基金二期、合肥经开投创和中电聚芯分别现金出资 17.1 亿元、9.5 亿元、3 亿元和 1 亿元,各持有沛顿存储 55.88%、31.05%、9.8%和 3.27%股权。

 

沛顿存储成立后,将投建存储先进封测与模组制造项目,该项目总投资 30.67 亿元,其中建设投资 29.65 亿元,建设周期 36 个月。

 

其中,将主要建设 DRAM 存储芯片封装测试业务,计划全部达产后月均产能为 4800 万颗;建设存储模组业务,计划全部达产后月均产能为 246 万条模组;建设 NAND Flash 存储芯片封装业务,计划全部达产后月均产能为 320 万颗。

 

据了解,该项目技术来源于沛顿科技。目前,沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术,如 wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级 SiP 封装技术等,现有产品已实现多达 16 层的多晶堆叠技术,最大单颗芯片容量可达到 256G。

 

深科技表示,通过本次项目的实施,沛顿科技可以提升自身先进封测综合实力,在先进封测领域取得突破性进步;同时,项目实施可满足客户较大需求的 DRAM、Flash 存储芯片封测以及 DRAM 内存模组制造业务,有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒,加速存储器国产化替代进程,提升国产存储器芯片的产业规模,促进我国存储器产业链发展。

 

对于国家大基金一期已投资的一些重点半导体项目,市场也有观点认为,国家大基金二期可能也会继续关注和投资。总体来说,围绕设计、制造和材料三个核心方向的国产替代,都会是需要国家大基金重点关注和支持的。

 

值得注意的是,沛顿存储也是此次参投的国家大基金二期募资完成后的首个投资项目。

 

此次参投沛顿存储的国家大基金二期,于去年 10 月份注册成立,募资规模超过 2000 亿,远超一期,市场预计将带动社会资本超万亿。本次首个项目的投出,或预示着国家大基金集成电路产业投资的二次启动。

 

今年深科技稳步推进国内外市场开拓,持续深化与行业高端客户业务合作的深度和广度,产品综合毛利率提升。今年上半年实现净利润 1.92 亿元,同比增长 26.77%。10 月 15 日,深科技公布的业绩预告显示,预计第三季度净利润 2.17 亿元 -3.53 亿元,比上年同期增长 76.53%–187.45%,公司前三季度净利润 4.09 亿元 -5.45 亿元,比上年同期增长 50%–100%。公司净利润加速增长,并且有望创出近十年来净利新高。