据彭博报导,三星全力发展晶圆代工业务,规划投入 1,160 亿美元,目标 3 纳米制程 2022 年量产,与台积电同步,是两强近年先进制程竞逐赛中,最接近的一次。业界关注,若三星发展 3 纳米进程顺利并提升良率,与台积电的抢单大战也将随之引爆。

 

 

对于相关报导,台积电昨(17)日表示,不评论竞争对手。不过,在技术上,先前台积电已设定的技术蓝图,目前计划并未改变。

 

在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从 10nm 之后开始遥遥领先,然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了 5nm EUV 工艺。三星计划在 2 年内追上台积电,2022 年将量产 3nm 工艺。

 

台积电因先进制程领先,独揽苹果处理器代工大单,并囊括高通、联发科、超微、辉达等大厂高端芯片订单,三星虽然努力追赶,但在高端制程订单斩获仍有限。

 

业界人士指出,三星集团近期动作频频,除了上周甫发表采用自家 5 纳米制程生产的 5G 芯片,本周又积极宣传 3 纳米技术蓝图,公司密集发布消息,宣示性意味浓厚。

 

 

台积电在 7 纳米与 5 纳米顺利量产至逐步放量都领先三星约两年。台积电先进制程量产计划早已底定,在持续扩展 5 纳米制程基础上,推出增强版的 4 纳米制程,预订 2021 年第 4 季风险试产,2022 年投入量产。同时也着手 3 纳米研发,目标 2021 年试产,2022 年下半年量产。

 

台积电总裁魏哲家在今年 10 月法说会上提到,台积电 3 纳米制程采用 FinFET(鳍式场效电晶体)架构,以提供客户最成熟、同时效能和成本最佳的技术选项,看好 3 纳米制程推出后,将具备最佳的 PPA(效能、功耗及面积),并为最先进的制程技术。

 

彭博报导,三星晶圆代工部门高层主管在一场未对外公开的活动上,对出席者表示,三星将在 2022 年量产 3 纳米芯片。

 

从 2019 年开始,三星启动了一个“半导体 2030 计划”,希望在 2030 年之前投资 133 万亿韩元,约合 1160 亿美元称为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电。

 

在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括 10nm、7nm 及 5nm,不过 5nm 算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM 等客户的 8nm、7nm 订单。

 

三星这个先前未曾曝光的目标,代表在台积电预期将于 2021 年试产 3 纳米、2022 年投入量产之际,三星也努力开始要撼动晶圆代工产业,希望能争取到与台积电一样,在 2022 年量产 3 纳米,若成局,将是三星与台积电近年先进制程竞逐赛当中,双方最接近的一次。

 

彭博报导,三星电子晶圆代工设计部门执行副总裁朴在弘(音译)当时说,三星正与重要合作伙伴开发初始设计工具。如果三星成功,对于该公司的远大目标将是一大突破。三星期望借由采用环绕闸极技术(Gate-All-Around;GAA)来精进制程,该技术和台积电 3 纳米采用 FinFET 不同。

 

南韩仁荷大学材料科学与工程教授崔林诺(音译)表示:“三星非常迅速地追赶台积电,并且寻求借由首度采用新技术来迈向主导地位。然而,如果三星无法在初期阶段快速改善先进节点的生产良率,可能会亏钱。”