与非网 12 月 8 日讯 SK 海力士今日宣布,已成功开发出 176 层 4D NAND 闪存,这是该公司第三代 4D NAND 产品。

 

SK 海力士 4D NAND 结合了 3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术,2019 年送样第一代 96 层 4D NAND,同年次月又推出了第二代 128 层 4D NAND,本次成功研发出的 176 层 NAND 是第三代 4D NAND 产品。


SK 海力士称,该产品与上一代 128 层产品相比,位元生产率提高了 35%以上,从而增强了成本竞争力。


另外,该产品采用了新的“两段式单元区域选择技术”,单元读取速度比上一代提高了 20%,数据传输速率提高了 33%,并实现了每秒 1.6Gb 的传输速度。


上月,SK 海力士于向控制器企业提供了 NAND 样品,计划明年 6 月左右批量生产,并依次推出消费者级 SSD、企业级 SSD 等产品,扩大各应用领域的市场。另一方面,韩国的三星电子也正在研发第七代 V-NAND,预计明年批量生产。


该公司自 2018 年开发 96 层 NAND Flash 以来,一直致力于堆叠更多层数的技术升级。它的 4D NAND 结合 PUC(Peri Under Cell)技术和 CTF(电荷撷取)架构设计,以最大化空间效能。