加利福尼亚山景城和日本横滨 2021 年 1 月 13 日  / 美通社 / -- 新思科技(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码:SNPS)和 Socionext(索喜科技)今日宣布扩展双方合作,基于新思科技的 DesignWare® IP 组合,Socionext 还将使用新思科技的 HBM2E IP,以在人工智能和高性能计算(HPC))应用中实现最大的内存吞吐量。新思科技的 HBM2E IP 运行速度为 3.6Gbps,能够满足 Socionext 创新 AI 引擎和加速器片上系统(SoC)对于容量、功耗和计算性能的严苛要求。新思科技的 IP 提供了高效的异构集成和最短的 2.5D 中介层封装连接。

 

Socionext 汽车与工业业务集团副总裁 Yutaka Hayashi 表示:“作为 SoC 解决方案领域的全球领导者,我们所提供的产品具有差异化功能,因此也面临着非常紧迫的交付期限。利用新思科技的 DesignWare HBM2E IP 和集成的全系统多裸晶片设计平台,Socionext 得以向市场提供世界级高性能、高容量和低能耗的 5nm FinFET 工艺 SoC。我们还将与新思科技开展合作,部署其下一代 DesignWare IP 解决方案,如 HBM3。”

 

DesignWare HBM2E PHY IP 可提供每秒 460 GB 的聚合带宽,能够满足先进 FinFET 工艺 SoC 对海量计算性能的要求。HBM2E IP 是新思科技全面内存接口 IP 解决方案的一部分,该解决方案包括 DDR5/4/3/2 和 LPDDR5/4/4X/3/2 IP,已在数百个设计中得到验证,并有数百万颗 SoC 发货。

 

新思科技 IP 营销和战略高级副总裁 John Koeter 表示:“作为领先的内存接口 IP 提供商,新思科技为 Socionext 等诸多创新公司提供极具竞争力的 HBM2/2E IP 解决方案,协助其应对高级高性能计算 SoC 对功耗和内存带宽的巨大需求。新思科技的硅验证 DesignWare HBM2/2E IP 核拥有超过 25 个投产设计和量产客户,设计者能够放心地将 IP 集成到他们的 SoC 中,并更快取得硅片的成功。”

 

可用资源 

新思科技 DesignWare HBM2/2E IP 现可广泛用于从 16 纳米到 5 纳米的工艺中。