与非网 1 月 13 日讯,据媒体报道,长江存储计划今年把产量提高一倍,计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到 10 万片晶圆,并准备试产 192 层 NAND 快闪记忆体晶片,最快将于 2021 年中试产,不过该试产计划可能会推迟至 2021 下半年。市场一流供应商目前仍在开发 176 层 3D NAND 晶片,而当前可量产的最先进版本为 128 层 NAND 晶片。

 

此前 4 月 13 日,长江存储宣布其 128 层 QLC 3D NAND 闪存研发成功,并已在多家控制器厂商 SSD 等终端存储产品上通过验证。这标志着国内 3D NAND 领域正式进入国际先进水平。

 

作为业内首款 128 层 QLC 规格的 3D NAND 闪存,长江存储 X2-6070 拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高 I/O 传输速度和最高单颗 NAND 闪存芯片容量。据长江存储介绍,128 层 QLC 版本将率先应用于消费级 SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。

 

2020 年三季度以来,长江存储一直忙于引进与安装必要的生产设备与扩大生产线。目前长江存储同时生产 64 层与 128 层 3D 快闪记忆体晶片,但将逐步将更多产能转向后者。

 

据透露,长江存储最快将于 2021 年中展开 192 层 3D NAND 快闪晶片试产,将是中国半导体业者首次试产这类晶片。如三星、美光等市场一流供应商,目前仍在开发 176 层 3D NAND 晶片,而当前可量产的最先进版本为 128 层 NAND 晶片。

 

2018 年 -2020 年,长江存储实现了从 32 层到 64 层再到 128 层的技术跃进,在市场份额高度集中的存储芯片市场,国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。具体表现在,长江存储和合肥长鑫的产线处于产能爬坡过程中,尚存在较大的产能空间,在其产能扩张过程中将有力拉动国产半导体设备厂商释放业绩。

 

中信证券 1 月 7 日发布研报称,长江存储、华虹集团、中芯国际、长鑫存储等晶圆厂积极扩产,驱动国内半导体设备市场增速两倍于全球,行业产能紧张下扩产进度有望加快。其中,长江存储一期项目于 2019 年产能达到 2 万片 / 月,2020 年扩产至 5 万片 / 月以上水平,预计一期项目未来将达到 10 万片 / 月产能,另外二期土建已于 2020 年 6 月开工,两期产能规划共 30 万片 / 月。

 

据中信证券整理的长江存储 2018 年至 2020 年三年间的约 2500 台设备招标情况,日本、美国厂商仍占据主导地位,但国内厂商占比逐年上升。2019 年长江存储 1088 台设备招标中,中国厂商设备占比 9.65%,而 2020 年长江存储 1107 台设备招标中,中国厂商设备占比达到 14.36%,呈现上升趋势。北方华创、中微公司、盛美股份分别累计中标 97 台 /45 台 /25 台,位于国产厂商前列。

 

由此,中信证券表示,产能扩张+国产替代积极推进,看好 2021 年半导体设备行业发展。展望 2021 年,包括长江存储、长鑫存储等 IDM 厂、华虹无锡、华力集成、中芯国际等晶圆代工厂均有持续产能扩增计划,在当前行业产能紧张背景下,包括晶圆制造、封装测试设备订单均有望爆发。另一方面,中芯国际事件进一步激发国内厂商危机意识,国产新机台的验证工作有望积极推进,利好国内设备厂商。