与非网3月17日讯,据悉,存储芯片生产巨头美光已经决定,要在今年12月底之前,卖出其在美国犹他州Lehi的3D Xpoint芯片工厂。

 

美光表示,未来将不再生产约十年前与英特尔共同开发的存储芯片。该司近年来对于3D Xpoint存储技术的开发投入是错误行动,因此决定终止对这项技术的研发与投入,并将相关资源转移到基CXL工业标准的新接口内存等产品上。

 

了解到,Lehi工厂是美光在爱达荷州的唯一一家制造3D Xpoint存储芯片的工厂,美光目前在市场上只有一个使用XPoint(X100 系列)的 SSD 系列。3D Xpoint是英特尔和美光双方在2015年联合宣布的存储芯片技术,基于PCM相变存储技术,原理跟NAND闪存不同,所以当时英特尔、美光宣称它具备1000倍于闪存的性能、1000倍的可靠性及10倍的容量密度,比闪存中最好的SLC闪存都要高出几个量级。

 

到现在,美光在3D Xpoint领域已投入30亿美元左右(约合195亿元)的资金。

 

美光公司首席商务官Sumit Sadana表示,3D Xpoint产品市场反映不温不火,因为用户必须重写软件的大部分才能利用这种新型内存。低迷的市场需求意味着美光无法大规模量产以获得能继续开发芯片的收入。该工厂的闲置也将使美光今年损失4亿美元。

 

他表示,美光将保留与3D Xpoint相关的所有知识产权,同时正与该工厂的多个潜在买家保持联系。虽然他未投透露双方的名字或工厂的售价,但是他说,投标人可能会不限于存储公司,包括计算芯片制造商,模拟芯片制造商或晶圆代工厂等。“现在是拥有这样的资产的好时机,因为业内都在为产能所苦。”

 

据悉,在退出3D Xpoint市场后,美光计划转移到另一技术的开发,被称为Compute Express Link的新的、更快的行业通用互连内存芯片。

 

Sumit Sadana表示,由于软件生态系统更容易被采用,这项新投资将获得更高的回报。

 

英特尔则将继续开发下一代芯片,并表示将在新墨西哥州的工厂为其生产“傲腾”系列3D Xpoint存储芯片。