与非网3月24日讯,据悉,日本正研拟产、官、学界携手开发新一代半导体技术的计划,由官方出资420亿日圆,结合佳能等日商开发2纳米以下制程技术,并打算和台积电建立合作体系。


了解到,台积电已核准于日本投资设立100%持股子公司,实收资本额不超过186亿日圆,用于扩展台积电3D IC材料研究。日经新闻报导的消息传出后,市场关注台积电日本布局,是否会从材料研究延伸至先进制程研发。对此,台积电昨(23)日回应,“目前日本项目按照计划进行中”。


日本企业登记资讯显示,台积电在日本的办公据点多在横滨,除了神奈川县西区横滨市设有一个子公司之外,另有台积电日本设计技术公司也位于横滨市同样区位。此外,台积电已于3月17日完成设立登记台积电日本3D IC研发中心,地点就在台积电日本设计技术公司同一栋楼。


台积电在日本开出职缺所在地仍以横滨为主。近期在台积电日本设计中心的海外招募计划也是派驻横滨,主要找芯片物理设计工程师与记忆体设计工程师等,协助客户内部芯片测试与开发。


据了解,日本经济产业省将投资约420亿日圆,支持佳能等三家日本企业开发下一代半导体,这些企业也将与台积电等外国业者建构合作体制,目标是在2020年代中期确立2纳米以下制程的技术,借由开发先进半导体技术重振芯片业,未来也将设立实验用产线,开发精密制程的加工与洗净相关技术。

 

日本佳能、东京威力科创(Tokyo Electron)以及 Screen半导体解决方案公司,将与日本产业技术总合研究所携手合作,而这些公司也将与台积电及美国英特尔等半导体制造商,广泛地交换意见。


另一方面,随着5G技术的普及将持续提高效能半导体的需求,加上日前瑞萨电子(Renesas)工厂火警加剧车用芯片短缺困境,日本经产省也计划设立一个研究小组,以评估加强支持半导体供应网和先进半导体的政策战略。