与非网3月29日讯,据国外媒体报道,产业链人士此前曾透露,DRAM(动态随机存储器)的合约价格在今年上半年将上涨,预计会持续到三季度,在四季度开始调整。

 

近日,SK海力士对DRAM和3D NAND的未来做出了预测。

 

SK海力士认为,通过将层数增加到600层以上,可以继续提高3D NAND的容量。此外,该公司有信心借助极紫外(EUV)光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下,以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中,以应对不断增加的工作负载。


SK海力士首席执行官李锡熙说:“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构,并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础,并取得创新,将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”
 

历史的经验早已证明,3D NAND无论是在性能还是在可拓展方面,都是一种非常高效的体系结构,因此,SK海力士将在未来几年继续使用它。早在2020年12月,SK海力士就推出了具有1.6Gbps接口的176层3D NAND存储器,且已经开始和SSD控制器制造商一起开发512GB的176层存储芯片,预计在2022年会基于新型3D NAND存储器进行驱动。


就在几年前,该公司认为可以将3D NAND扩展到500层左右,但是现在它已经有信心可以在不久的将来将其扩展到600层以上。随着层数的增加,SK海力士以及其他3D NAND生产商不得不让每一层变得更薄,NAND单元更小,并引入新的电介质材料来保持均匀电荷,从而保持可靠性。


SK海力士已经是原子层沉积领域的领导者之一,因此其下一个目标是实现高深宽比(A/R)接触(HARC)刻蚀技术。同样,对于600层以上的3D NAND,可能还需要学会如何将多层晶圆堆叠起来。


行业何时才能有600层以上的3D NAND设备以及如此惊人的层数将带来的多大的容量,SK海力士没有给出具体预测,不过该公司仅凭借176层技术就已经着眼于1TB的产品,因此600层以上的产品容量将是巨大的。

 

根据SK海力士方面的说法,未来DRAM产品的制造工艺会逐步推进到10nm及以下工艺。

 

此前,SK 海力士宣布,为应对市场需求回升,该公司将扩充产能规模,其新建的位于首尔南部利川市(Icheon)的M16 产线预计今年6月启动量产,以进一步扩大DRAM供应。

 

资料显示,2018年12月,SK海力士开始动工兴建M16晶圆厂,斥资高达15兆韩圜(约134亿美元),将采用极紫外光(EUV)光刻技术,生产第四代10nm级制程( 1a奈米)的DRAM产品。

 

对于10nm以下DRAM目前还没看到相关动态。