与非网3月29日讯,此前十四五规划将碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)列入重点技术项目,两者均为第三代宽禁带半导体材料,其中氮化镓用于半导体器件中时,具备耐高温、高开关频率、低导通电阻、高效率、化学性质稳定等优异特性,不过受限于制造工艺、应用成本等因素的限制,多年以来氮化镓仅实现小范围应用。

 

3月25日,广东中图半导体科技股份有限公司(简称“中图科技”)申请科创板上市已获受理,申万宏源证券为其保荐机构,拟募资10.03亿元。

 

招股书显示,公司是一家面向蓝宝石上氮化镓(GaN on Sapphire)半导体技术的专业衬底材料供应商。公司根据不同的 LED 芯片应用领域及其外延技术特征进行适配的衬底材料开发,通过图形化结构设计、不同材料组合应用、工艺制程实现等,为 GaN LED 芯片提供衬底材料综合解决方案。

 

中图科技主要产品为 2 至 6 英寸图形化蓝宝石衬底(PSS)、图形化复合材料衬底(MMS)。图形化衬底是微米级的光学、材料学设计,与纳米级的半导体工艺制造相结合的产品,是连接蓝宝石材料与氮化镓外延芯片的纽带,根据不同应用需求,通过衬底材料、图形结构、周期排列等的设计,制造出适用于不同应用的 LED 芯片适配衬底,为照明、背光源、显示屏、Mini LED、Micro LED、UVC LED 等不同应用场景的 LED 芯片提供优质的衬底材料解决方案。


中图科技招股书显示,目前已获授权专利 35 项,其中发明专利 11 项,实用新型 23 项,外观设计 1 项。从专利内容来看,涵盖了GaN生长用图形化蓝宝石衬底、衬底上制备导电薄膜、GaN发光二极管、LED发光二极管等相关技术。


值得注意的是,在授权的11项发明专利中,只有4项为原始取得,7项为继受取得。
对于受让的专利,中图科技在招股书中进一步披露,2018 年 1 月,出于公司生产经营需要,公司与中镓科技签订了《专利实施许可合同》,约定中镓科技将其享有专利权的专利号为 ZL201110102031.4、ZL201410004051.1、ZL201210068033.0、ZL201520162543.3 的4项专利无偿许可给公司使用。


2020年12月,为进一步减少持续关联交易,增强公司的独立性,公司与中镓科技签署了《专利权转让合同》,从中镓科技无偿受让了包括前述 4 项专利在内的 8 项中镓科技拥有的专利。


据报道,中图科技是在2020年10月19日在广东证监局办理了辅导备案登记。也就是上述专利权的转让是中图科技已经开启了上市辅导后两个月才进行的,这就不得不让人对此次转让是否是要满足科创板最低5件发明专利的要求而特意为之。


实际上,早在2020年3月20日,中国证监会就发布了《科创属性评价指引(试行)》,提出了“3+5”标准,对拟上市企业的最低5件发明专利数量做出了要求。


虽然专利出让方中镓科技实际上是中图科技的控股股东、实际控制人陈健民间接控制的企业,而且中图科技的管理层很多都有中镓科技的从业经历,但是这毕竟是两家独立公司。


中图科技直到上市辅导后可能才意识到上市对5件发明专利这一最基本的要求。对此,专家认为,中图科技在上市之前可能还欠缺很多科创属性的基本知识,对于当时只有3件发明专利(另一件专利是2020年10月30日已经开启上市辅导之后才获得授权)并没有做出及时的反应,也间接显示出,中图科技本身对于专利的重视程度或许还存在一定欠缺。