据BusinessKorea报道,SK海力士会长李锡熙(Lee Seok-hee)在3月30日举行的股东大会上表示,公司将通过与英特尔 NAND闪存部门产生的协同效应,力争成为全球NAND闪存市场的领导者。

 

SK 海力士在去年10月宣布,与英特尔签署收购协议,将以10.3104万亿韩元(约合人民币604亿元)收购后者的NAND闪存及存储业务。

 

李锡熙称,SK海力士在NAND移动领域有优势,英特尔在eSSD业务上具有优势,因此两者可以最大化协同效应。

 

 

目前,SK海力士仅落后于三星电子,是全球第二大DRAM制造商。从英特尔收购NAND闪存业务后,该公司有可能会像在DRAM行业一样,在全球NAND闪存市场保持领先。 

 

李锡熙指出,两年前其就任会长一职时,定下的目标之一是让公司市值达到100万亿韩元。该公司在今年年初实现了这一目标。现在,SK海力士将把目标定得更高,即专注于拓展DRAM和NAND闪存业务,并基于环境、社会和管理 (ESG)提升股东的价值。

 

李锡熙进一步解释了集约化投资的三个方向——研发、ESG管理和未来增长引擎。

 

具体地,SK海力士计划在美国和欧洲等地区建立研发基地,并将致力于推广“RE100”100%可再生能源理念以及净零碳。至于未来增长引擎方面,该公司将在诸如人工智能(AI)、自动驾驶和5G等各个领域中寻找并投资有前景的公司。

 

另外有消息指出,韩国政府已核准韩国第二大芯片制造商SK海力士(SK Hynix)投资计划,将斥资120万亿韩元(约1,060亿美元)打造半导体工业聚落,有望缓解全球芯片供应短缺问题。

 

韩联社、《BusinessKorea》等韩媒报道,据韩国产业通商资源部(Ministry of Trade, Industry and Energy)29日宣布,SK海力士将在首尔以南约50公里的龙仁市(Yongin)建设新的半导体产业区,占地415万平方公尺,可容纳4座半导体制造厂,现已完成所有必要的行政程序,预计今年第四季动工。

 

报道指出,约50多家半导体材料、零件和设备制造商及供应商也将进驻于此,完工后,整个园区月产能预估可达80万片。

 

此前,SK海力士还对核心业务DRAM和NAND芯片做了单独描摹,称正在积极使用EUV光刻技术,并客服材料、结构、可靠性方面的诸多挑战,在未来10年内大规模量产10nm级DRAM(1a nm、1b nm、1c nm……)、600层的3D闪存等。