全球NAND闪存市场竞争局势白热化

5月16日，爱思开海力士·英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连保税区正式开工。

据介绍，该项目是辽宁省、大连市重点推进项目，位于大连金普新区，将建设一座新的晶圆工厂，用于生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

这是SK海力士继2021年12月底顺利完成收购英特尔NAND闪存及存储业务第一阶段交割后，时隔4个月宣布在大连继续扩大投资并建设新工厂。

1、“缺芯”促进厂商加速扩产

近年来，受新冠疫情、俄乌冲突等因素影响，全球半导体产业都面临产能不足的问题，缺芯、涨价等词汇成了业界老生常谈的话题，随之而来的就是企业大规模建厂、扩产。

例如，在晶圆代工领域，台积电、英特尔、格芯、中芯国际等厂商都宣布了扩产计划，但各方都是“单打独斗”。而在存储领域，国际厂商之间似乎更愿意“抱团取暖”，以合作、合并的形式加速产能扩充，其中以SK海力士和英特尔、铠侠和西数这两大组合最为业界所熟知。

SK海力士&Solidigm(原英特尔NAND闪存业务部门)

众所周知，SK海力士和英特尔原本都是全球前十强的闪存企业，双方在该领域的竞争也是你追我赶。但在2020年，SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务（包括英特尔大连工厂），双方的关系也悄然发生改变。

目前，SK海力士已经完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段交割。与此同时，SK海力士在美国设立了一家名为“Solidigm”的子公司，负责运营此次收购的英特尔SSD业务。

根据TrendForce集邦咨询的数据，2021年第四季度，SK海力士和Solidigm分别以26.15亿美元和9.96亿美元的营收位居全球NAND Flash品牌厂商第四和第六。

除了共同携手拓展市场之外，SK海力士与Solidigm还展开了包括NAND产品研发在内的全面合作。今年4月5日，双方首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。

至于此次非易失性存储器项目落户大连，SK海力士半导体（中国）有限公司总裁郑银泰表示，后续，SK海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作，按计划完成新工厂建设，将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。

铠侠&西数

除了“SK海力士&Solidigm”这对新组合之外，在NAND市场，还有一对由来已久且实力同样强劲的“CP”——铠侠和西数。

据悉，铠侠与西数的合作关系已保持长达20年的时间。在此基础上，两家公司定期在工厂运营方面进行合作。甚至有外媒曾在2021年报道，全球第三大闪存芯片厂商西数打算并购排名第二的铠侠，但截至目前，尚未有确切消息和官方回应证实该报道的真实性。

2022年以来，铠侠与西数的合作似乎更加紧密与频繁。

今年3月，铠侠宣布，将在日本岩手县北上工厂建设新的NAND Flash生产线（Fab2）。铠侠表示，计划与西数进行讨论，将闪存合资企业扩展至Fab2投资。 

4月，铠侠和西数再次宣布，双方将共同投资位于日本三重县四日市的Fab7（Y7）制造工厂的第一阶段工程，合资工厂将在今年秋季开始实现初步生产。Y7厂的第一阶段将生产3D快闪存储器，包括112层、162层生产及未来制程。

2、NAND市场前景依然可观

自1987年铠侠的前身东芝存储发明NAND闪存以来，全球NAND闪存市场规模已达700亿美元，容量也从最初的4Mb增加到1.33Tb，实现了333,000倍的增长，并且实现了从2D NAND向3D NAND的技术演变。

经过35年跌宕起伏的发展后，随着近年来大数据、云计算、元宇宙等新兴产业的快速发展，巨大的市场需求无疑对NAND产品的容量、性能、及功耗提出了更高的要求。

尽管近年来受俄乌冲突、高通胀、疫情等影响，全球NAND Flash市场销售增长较慢，但厂商和业界依然乐观看待未来发展。

铠侠预计，在云计算和企业IT投资不断增加的环境下，数据中心/企业SSD的需求预计将保持稳定；同时，未来随着5G推广以及存储容量提升，智能手机市场存储需求也将长期增长。

集邦咨询此前总结2021年NAND Flash市场销售表现则认为，尽管自下半年开始有转弱迹象，但全年受惠于疫情所带动的远距服务与云端需求，营收表现仍较2020年显著增长，产业营收达686亿美元，年增21.1%，上升幅度自2018年以来位居第二高。

3、堆叠层数竞争日趋白热化

TrendForce集邦咨询此前曾预计，随着110＋层闪存芯片的推出，2023年市场总产出的72.5%会被110+层3D NAND闪存占据。

当前，各大厂商在NAND层数堆叠上的竞争日趋白热化。美光、SK海力士、三星等头部厂商都已突破176层3D NAND技术，进入200层以上的的堆叠层数比拼。

目前，三星正在加快200层以上NAND闪存的量产步伐，韩国媒体《BusinessKorea》 曾报道，三星将在今年底明年初推出200层以上的NAND产品，并计划在2023年上半年开始量产。

美光更是在近期的投资者日活动上宣布，将在2022年底开始推出232层NAND产品，并公布之后的工艺节点依次为2YY、3XX与4XX。

与此同时，西数也在近期公布的闪存技术路线图显示，其计划与合作伙伴铠侠于2022年底前开始量产162层NAND产品。西数还透露，2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

至于SK海力士，最新的3D NAND层数是176层，但其前CEO李锡熙在去年的IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）上展望SK海力士产品的未来计划时曾预测，未来有可能实现600层以上的NAND产品。

文 |  全球半导体观察 禾忍