5月16日,爱思开海力士·英特尔DMTM半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连保税区正式开工。

 

据介绍,该项目是辽宁省、大连市重点推进项目,位于大连金普新区,将建设一座新的晶圆工厂,用于生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

 

这是SK海力士继2021年12月底顺利完成收购英特尔NAND闪存及存储业务第一阶段交割后,时隔4个月宣布在大连继续扩大投资并建设新工厂。

 

1、“缺芯”促进厂商加速扩产

 

近年来,受新冠疫情、俄乌冲突等因素影响,全球半导体产业都面临产能不足的问题,缺芯、涨价等词汇成了业界老生常谈的话题,随之而来的就是企业大规模建厂、扩产。

 

例如,在晶圆代工领域,台积电、英特尔、格芯、中芯国际等厂商都宣布了扩产计划,但各方都是“单打独斗”。而在存储领域,国际厂商之间似乎更愿意“抱团取暖”,以合作、合并的形式加速产能扩充,其中以SK海力士和英特尔、铠侠和西数这两大组合最为业界所熟知。

 

SK海力士&Solidigm(原英特尔NAND闪存业务部门)

 

众所周知,SK海力士和英特尔原本都是全球前十强的闪存企业,双方在该领域的竞争也是你追我赶。但在2020年,SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务(包括英特尔大连工厂),双方的关系也悄然发生改变。

 

目前,SK海力士已经完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段交割。与此同时,SK海力士在美国设立了一家名为“Solidigm”的子公司,负责运营此次收购的英特尔SSD业务。

 

根据TrendForce集邦咨询的数据,2021年第四季度,SK海力士和Solidigm分别以26.15亿美元和9.96亿美元的营收位居全球NAND Flash品牌厂商第四和第六。

 

 

除了共同携手拓展市场之外,SK海力士与Solidigm还展开了包括NAND产品研发在内的全面合作。今年4月5日,双方首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。

 

至于此次非易失性存储器项目落户大连,SK海力士半导体(中国)有限公司总裁郑银泰表示,后续,SK海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作,按计划完成新工厂建设,将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。

 

铠侠&西数

 

除了“SK海力士&Solidigm”这对新组合之外,在NAND市场,还有一对由来已久且实力同样强劲的“CP”——铠侠和西数。

 

据悉,铠侠与西数的合作关系已保持长达20年的时间。在此基础上,两家公司定期在工厂运营方面进行合作。甚至有外媒曾在2021年报道,全球第三大闪存芯片厂商西数打算并购排名第二的铠侠,但截至目前,尚未有确切消息和官方回应证实该报道的真实性。

 

2022年以来,铠侠与西数的合作似乎更加紧密与频繁。

 

今年3月,铠侠宣布,将在日本岩手县北上工厂建设新的NAND Flash生产线(Fab2)。铠侠表示,计划与西数进行讨论,将闪存合资企业扩展至Fab2投资。 

 

4月,铠侠和西数再次宣布,双方将共同投资位于日本三重县四日市的Fab7(Y7)制造工厂的第一阶段工程,合资工厂将在今年秋季开始实现初步生产。Y7厂的第一阶段将生产3D快闪存储器,包括112层、162层生产及未来制程。

 

2、NAND市场前景依然可观

 

自1987年铠侠的前身东芝存储发明NAND闪存以来,全球NAND闪存市场规模已达700亿美元,容量也从最初的4Mb增加到1.33Tb,实现了333,000倍的增长,并且实现了从2D NAND向3D NAND的技术演变。

 

经过35年跌宕起伏的发展后,随着近年来大数据、云计算、元宇宙等新兴产业的快速发展,巨大的市场需求无疑对NAND产品的容量、性能、及功耗提出了更高的要求。

 

尽管近年来受俄乌冲突、高通胀、疫情等影响,全球NAND Flash市场销售增长较慢,但厂商和业界依然乐观看待未来发展。

 

铠侠预计,在云计算和企业IT投资不断增加的环境下,数据中心/企业SSD的需求预计将保持稳定;同时,未来随着5G推广以及存储容量提升,智能手机市场存储需求也将长期增长。

 

集邦咨询此前总结2021年NAND Flash市场销售表现则认为,尽管自下半年开始有转弱迹象,但全年受惠于疫情所带动的远距服务与云端需求,营收表现仍较2020年显著增长,产业营收达686亿美元,年增21.1%,上升幅度自2018年以来位居第二高。

 

3、堆叠层数竞争日趋白热化

 

TrendForce集邦咨询此前曾预计,随着110+层闪存芯片的推出,2023年市场总产出的72.5%会被110+层3D NAND闪存占据。

 

当前,各大厂商在NAND层数堆叠上的竞争日趋白热化。美光、SK海力士、三星等头部厂商都已突破176层3D NAND技术,进入200层以上的的堆叠层数比拼。

 

目前,三星正在加快200层以上NAND闪存的量产步伐,韩国媒体《BusinessKorea》 曾报道,三星将在今年底明年初推出200层以上的NAND产品,并计划在2023年上半年开始量产。

 

美光更是在近期的投资者日活动上宣布,将在2022年底开始推出232层NAND产品,并公布之后的工艺节点依次为2YY、3XX与4XX。

 

与此同时,西数也在近期公布的闪存技术路线图显示,其计划与合作伙伴铠侠于2022年底前开始量产162层NAND产品。西数还透露,2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

 

至于SK海力士,最新的3D NAND层数是176层,但其前CEO李锡熙在去年的IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)上展望SK海力士产品的未来计划时曾预测,未来有可能实现600层以上的NAND产品。

 

文 |  全球半导体观察 禾忍