以太网供电 (PoE) 已推出多年，但最新标准 IEEE 802.3bt 提升了可通过双绞以太网线传输的最大功率。新标准于 2018 年批准出台，促使了许多新 PoE 应用的研发。 现在，供电设备 (PSE) 最高可以提供 100W 功率，支持 8 个不同的功率等级；用电设备 (PD) 将最高可以使用 71W 功率，适用于 长度达100m 的以太网电缆。此外，新 PoE 标准的采用主要取决于在保持相同外形尺寸的情况下，提高供电设备 (PSE)侧的功率密度的能力。

英飞凌提供各种可靠且高效的高压 MOSFET和低压 MOSFET，提供各种 DC-DC 转换器解决方案，比如电源管理 IC (PMIC) 或开关稳压器以及 OptiMOS™ 低压 MOSFET、CoolMOS™ 高压 MOSFET 和适用于 AC-DC 辅助电源的 CoolSET™ 辅助转换器系统。

得益于技术进步和新推出的 IEEE 802.3bt 标准，以太网供电功率得到提升，最高可达 100W。这种发展趋势给适用于 PoE 供电设备 (PSE) 的主电源设计带来了挑战。 无论是升级现有以太网设计以集成 PoE 设备，还是增加为数不多的符合 IEEE 802.3bt 标准的 PoE 端口，都会大幅提高整体功率预算的功率要求。 根据整体功率预算和电源拓扑结构，我们将供电设备分为两个功率等级。

主电源采用反激式拓扑设计，带有源箝位。由于可用功率较低，因此可针对少数几个支持 IEEE 802.3bt 标准的PoE 端口实施成本优化解决方案。 因此对 PoE 供电设备提出了多项新要求： · 由于每个新增端口的所需功率最高可达 100W ，则输出功率相应提升，导致 PoE 功率分配增加 · 而效率和功率要求的提高导致有源箝位反激 (ACF) 被谐振 LLC SMPS 拓扑结构所代替 · 输出功率升高，需要提升功率密度来保持现有外形规格不变 · 效率高，适用于主电源的各种负载条件 · 此外，许多 PoE 供电设备（PSE）控制器要求外置功率 MOSFET 能安全控制端口功率。低 RDS(on) 和宽安全工作区 (SOA) 可确保系统高效，同时提供安全裕度，保护系统免受故障影响。

主电源采用谐振LLC拓扑设计，对整体系统效率要求非常高。为支持大量符合 IEEE 802.3bt 标准的 PoE 端口，电源需具备高灵活性和高可靠性。 因此对 PoE 供电设备提出了多项新要求： · 由于每个额外端口的所需功率最高可达 100W ，则输出功率相应提升，导致 PoE 功率预算增加 · 带有PFC、DC-DC 主级和整流功能的多级 SMPS 设计，还可根据需要可增加 Or-ing结构 · 输出功率升高，需要提升功率密度来保持现有外形规格不变 · 效率高，适用于主电源的各种负载条件 · 此外，许多 PoE 供电设备（PSE）控制器要求外置功率 MOSFET 能安全控制端口功率。低 RDS(on) 和宽安全工作区 (SOA) 可确保系统高效，同时提供安全裕度，保护系统免受故障影响。

英飞凌提供各种适用于先进 供电设备（PSE）电源设计的半导体产品，也是唯一能够提供完整，适用于供电设备（PSE）电源半导体产品解决方案的制造商：从高压 CoolMOS™ MOSFET 和低压 OptiMOS™ MOSFET 到 SiC 和 XMC 系列微控制器以及CoolSET™ 辅助转换器系统。可选择 CoolGaN™ 技术满足机架式系统不断增长的功率要求。

您可通过资料和视频详细了解以太网供电的具体内容。