用2600系列数字源表进行 IDDQ测试和待机电流测试
上传时间:2012/09/05 资源大小:1.3MB
[摘要] CMOS集成电路(CMOS IC)和电池供电产品的制造商需要测量静态(或“待机”)电源电流用于验证生产测试质量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏电电流测量过程被称为IDDQ测试。此测试要求在IC处于静态条件下测量VDD电源电流
基于高吞吐率WLR测试的ACS集成测试系统
上传时间:2012/09/05 资源大小:3.03MB
[摘要] 随着器件继续小型化,半导体器件可靠性测试以及器件寿命预测面临极大挑战。由于新材料和新工艺的复杂性增大,器件失效的随机性也在增加。这需要产生更大的统计样本测试数据。虽然传统的应力-开关-测量可靠性测试技术能实现庞大数量的器件测试,但这种方法可
基于实验室自动化的ACS集成测试系统
上传时间:2012/09/05 资源大小:2.89MB
[摘要] 随着面市时间和测试成本的压力增大,需要继续仔细检查工具利用率和测试工程师的生产率。提高自动化水平是一种改善资源分配常规方法。从手动探测器的单管芯测试到半自动探测器的单晶圆测试的这一过程自然会通向自动探测器的全晶匣检测。在过去,使用精密、灵活
用于多站点并行测试的ACS集成测试系统
上传时间:2012/09/05 资源大小:3.09MB
[摘要] 测试成本被视为未来先进半导体的首要挑战。对测试成本和测试系统购置成本影响最大的是测试系统吞吐量。不论什么具体应用,并行测试都最大程度改善了晶圆上测试的吞吐量公式。这是因为大部分开销用在了移动探针或者将探针重新定位至下一个测试站点。开销包括了
面向偏压温度不稳定性分析的即时V TH 测量
上传时间:2012/09/05 资源大小:573.66KB
[摘要] 在微缩CMOS和精密模拟CMOS技术中对偏压温度不稳定性——负偏压温度不稳定性(NBTI)和正偏压温度不稳定性(PBTI)——监测和控制的需求不断增加。当前 NBTI1 的JEDEC标准将“测量间歇期的NBTI恢复”视为促进可靠性研究人员不
用2602型数字源表对激光二极管模块和VCSEL进行高吞吐量直流生产测试
上传时间:2012/07/23 资源大小:363.26KB
[摘要] 激光二极管(LD)和垂直腔面发射激光器(VCSEL)是光通信、光谱学和许多其它应用中的主要组成元件。随着这些应用需求日益增多,对基本元件的需求也在增长。这要求更注重开发准确、经济有效的生产测试策略。
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