Qorvo：三因素保证射频芯片两位数增长

7 月 14 日，Qorvo 在山东德州的新工厂正式投入运营，该工厂占地 47，000 平方米，是 Qorvo 自合并 以来最大的市场动作。目前，德州工厂有大约 100 多个产品正在生产，未来会有更多的产品会转移到这里生产，德州工厂也将成为 Qorvo 最大的模块组装、封装和测试中心。“Qorvo 在全球仅有北京和山东德州两座封测工厂，85%至 90%的 Qorvo 产品都是在中国进行测试的。”Qorvo 首席执行官包国富（Bob Bruggeworth）在接受媒体采访时说道。

立足本土化服务
德州新工厂的面积约是北京工厂的两倍，具备晶圆级加工制造（研磨减薄及切割）、倒装芯片、芯片贴装、引线键合、塑封成型等多种封装工艺技术。除此之外，还配备了失效分析实验室，以支持可靠性失效产品的分析，协助工厂提升良率。

“和其他竞争对手最大的不同之处，是我们的实时支持。无论是发货的周期、技术支持的周期还是解决问题的周期，Qorvo 都可以满足客户的需求。”Bob 表示，现在全球 70%以上的手机都在中国生产，而手机开发的周期越来越重要，早出货一个礼拜或晚出货一个礼拜对于手机厂商来说事关生死。经过多年的发展，Qorvo 在支持客户方面基本做到了实时响应，客户的多数问题不需要美国总部介入，这就减少了时差影响，为产品的上市赢得了宝贵的时间，德州工厂的正式运营将在供应链等方面进一步加强对于中国客户的支持，这将使 Qorvo 在将来的竞争中占据主动。

移动通信市场是射频芯片厂商的主战场，得益于智能手机的高速增长，在过去五年中射频芯片产业每年以 20％以上的速率增长。 不过从去年开始，全球智能手机增速开始急刹车，增速从两位数下滑到今年的个位数。但 Bob 认为，即使手机市场增速趋近于零，未来几年射频芯片市场还能够保持 10%至 15%的两位数增长。

三因素保证射频芯片高增长
Bob 表示，射频芯片能够在手机市场停滞的情况下保持高增长的原因有三。

首先，载波聚合的普及要求手机接收端能够处理更多的频段，因此需要更多的射频元件，这是最基础的原因。通过载波聚合技术，LTE-A 将最大信道带宽从 LTE 本身的 20MHz 提升到 100MHz（即最大 5 载波聚合），将现有频谱资源最大化利用，因此得到了运营商的广泛支持和欢迎。但支持载波聚合的手机需要支持多通道收发机，这就需要采用更多的射频功放、开关和滤波器。

载波聚合增加了射频芯片的需求

其次，由于成本压力上升，手机大厂越来越倾向于生产较少型号的手机，型号越少，每款手机所需要支持的模式和频率就越多，从而所需的射频元器件也会越多。以三星为例，过去每年可能要出 20 几款手机，一款手机可以只支持两模或三模，手机型号减少以后，手机的出货量并未下降，较少的型号要覆盖更多的地区和运营商甚至全球销售，就必须支持多模多频(如五模十三频或五模十七频），所以新设计的手机里面滤波器越加越多，射频功放（PA）越加越多，这就是在手机出货量不增加的前提下，射频芯片出货量增长较多的另一重要原因。

全球 LTE 波段

第三，4G 手机向后兼容，所以用到的射频元件比 2G 手机多很多。2G 老用户更换手机也是射频器件增长的保证。

射频器件走向系统化封装
中国移动外部董事兼 Qorvo 独立董事何庆源表示，载波聚合与后向兼容对运营商来说是把双刃剑。一方面，提升了频谱利用率，延续了旧设备的使用周期，但另外一方面，载波聚合对于滤波器性能要求很高，要切得很干净，这么多高性能射频器件的采用，也造成了手机端成本居高不下。以往在功能机时代出现的几十美元的手机，很难在智能机时代重现。

因此在一些欠发达地区，4G 手机普及率并不高，未来的 5G 手机从成本来看可能更高，如何降低成本，增加普及率，以解决数字鸿沟问题，是业界需要思考的问题。

射频芯片的系统化封装（SiP）是降低成本的一种途径。Qorvo 在这方面已经进行了很多尝试，以往的射频功放、开关和滤波器（包括声表面波滤波器 SAW 和体表面波滤波器 BAW）都是用分立形式做，现在 Qorvo 已经实现射频功放加开关的 SiP 封装、开关加滤波器的 SiP 封装等，但目前还没有实现将一组射频前端（低噪放、开关、射频功放、滤波器）全部做进 SiP 封装。

当然仅靠系统化封装，是难以跨越数字鸿沟的。

5G 发展需要新的拉动力
虽然 5G 标准还没有最后确定，但将毫米波通信引入 5G 标准的工作已经在进行中。美国的 Verizon（28GHz）与 T-Mobile（28GHz 与 39GHz）都已经申请进行毫米波试验。Bob 强调，在毫米波方面 Qorvo 有足够丰富的经验。Qorvo 的氮化镓（GaN）器件在军工上已经使用了多年，而其他厂商，在氮化镓芯片实用经验方面就很少。

氮化镓是目前最适合制造毫米波功放的材料之一，氮化镓单位面积承受的热量是砷化镓（GaAs，目前 4G 射频功放最常用的材料）的十倍，因此非常适合高频高功率发射应用。

由于主要只用于军用，所以氮化镓器件的成本很高。不过 Bob 认为，只要量上去以后，氮化镓器件的价格会很快下来。此言不虚，从移动通信到 GPS，都是军用转民用的典型案例，普及率过了一个临界点以后，价格将快速下降，毫米波应用也不例外。

相比国外，国内在毫米波通信方面的进展则相对较慢。何庆源认为，这与中国运营商目前还没有高带宽应用有关。美国的 Verizon 与 T-Mobile 等运营商同时经营有线电视网络（CATV），由于高清视频应用对于高带宽的需求，美国的 CATV 网络已经开始采用氮化镓芯片。

“从带宽来说，5G 的发展需要新的拉动力” 何庆源说道。他表示，虚拟实现、物联网、人工智能、机器人等新应用大规模发展起来以后， 带宽缺口增大，会促进 5G 的发展。“5G 应用标准还在制定，2020 年之前会不断尝试，现在先要把应用做好。”

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