安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布,推出 600W 的 BLF0910H9LS600 LDMOS 功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新 Gen9HV 50V LDMOS 工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于 900 到 930MHz ISM 频段中的工业加热连续波(CW)射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷 SOT502 封装,结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间,从而降低了放大器设计的成本。
 
由于其高工作效率——通常高于 68%,其冷却需求也保持在最低限度,这有助于进一步降低所需的空间。
 
BLF0910H9LS600 具有高增益的优势——其 19.8dB 的典型增益是在 915MHz CW AB 类应用中以 50V VDS 测得——这有助于提高放大器的整体效率。
 
通过使用 2 个这种小型 SOT502 封装的 600W 晶体管,设计人员可以在与单个 SOT539 封装相同的空间中搭建出一个 1.2kW 的射频功率放大器。这种架构还有助于降低晶体管温度,从而有效实现比单个 SOT539 解决方案更高的效率。
 
BLF0910H9LS600 集成了 ESD 保护和内部输入匹配。此匹配增加了晶体管的输入阻抗,简化了 PCB 匹配结构的设计,从而可实现紧凑的放大器设计。