面向4G和5G智能手机市场,中芯宁波和宜确半导体发布业内首个射频前端模组

2019-01-30 15:03:19
标签:

 

中芯集成电路(宁波)有限公司(以下简称“中芯宁波”)和宜确半导体(苏州)有限公司(以下简称“宜确半导体”)联合发布业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组

 

据悉,宜确半导体砷化镓pHEMT射频前端模组借助中芯宁波晶圆级微系统集成技术(uWLSI),实现了出众的微型化,并显著提高了核心组件间互连的射频特性,其封装尺寸可实现2.5x1.5x0.25立方毫米,是目前业界最紧凑的射频前端器件。该射频前端模块的第一个系列产品预计将于2019年上半年在中芯宁波N1工厂投产,主要面向4G和5G智能手机市场。

 

中芯宁波所开发的uWLSI技术,可满足多个异质芯片通过更多的晶圆级制造工艺来实现高密度微系统集成,成为一种新的有竞争力的微系统集成方案,例如支持微控制器、物联网和传感器融合。

 

宜确半导体创立于2015年,主要从事高性能射频前端集成电路的设计、生产和销售,产品包括2G/3G/4G/MMMB射频功率放大器及射频前端芯片,射频开关芯片,低噪声放大器芯片,WiFi射频前端芯片以及射频电源芯片等。宜确半导体总部位于江苏省苏州市工业园区,并在上海、北京设有研发中心。宜确半导体所开发的芯片产品累计出货量超过10亿颗,对射频前端市场以及无线通信市场有深刻的理解。

 

中芯宁波分为N1(小港)与N2(柴桥)两个项目,将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地,采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式,并提供相关产品设计服务平台。2018年11月2日,中芯宁波200mm特种工艺N1项目正式投产,中芯宁波N2项目正式动工。

 
关注与非网微信 ( ee-focus )
限量版产业观察、行业动态、技术大餐每日推荐
享受快时代的精品慢阅读
 

 

继续阅读
物联网助力集成电路颠覆性发展,毫米波阶段也将受益

7月19日,2019集微半导体峰会在厦门海沧举行,在上午举行的5G主题论坛《5G给产业带来的机会》环节上,恩智浦(中国)管理有限公司董事长兼恩智浦全球资深副总裁郑力在发言中表示,5G时代的到来,手机仅是众多智能终端之一,而在5G的第二阶段毫米波将会给产业带来更多机会。

美国芯片往事:政府的多方面支持

集成电路是电子信息产业的的基石,电子信息产业对国民经济与社会发展具有重大推动作用。从全球集成电路产业发展历程来看,在美国、欧盟、韩国、日本的产业发展、崛起和形成的产业结构过程中,都得到政府长期、持续地大力支持。

重庆打造“中国集成电路创新高地”,上半年获科技部支持3.65亿元

据重庆日报报道,今年上半年,重庆牵头申报的16个项目获得科技部立项支持,获批数量居西部第一,国拨经费3.65亿元。

企业碰撞创新“火花”,集成电路如何与智能终端携手前行?

为给2019智博会开幕“暖场”,按照陈敏尔书记、唐良智市长7月2日到仙桃数据谷调研大数据智能化发展相关要求,深入学习贯彻习近平总书记视察重庆重要讲话精神,坚定不移把大数据智能化创新作为重庆发展的战略选择,深度参与数字经济国际合作,推动智能制造和智慧城市建设,让智能化为经济赋能、为生活添彩。

电子工业元件变革,忆阻器能否打破存储墙?

芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限,集成电路技术的天花板隐隐出现,伴随着未来器件小型化、集成度高的趋势,使得计算和存储两者之间开始融合,忆阻器的价值也随之增加。

更多资讯
干货 | 功率放大器的基本知识点

射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。

揭秘电磁辐射
揭秘电磁辐射

随着科技的发展,科技产品的应用范围已经覆盖了我们日常生活的方方面面,从使用最普遍的电视、手机、电脑、电磁炉和微波炉,到不太被我们所关注的高压电线、变电站和通信基站等,这些设备和设施都会产生电磁辐射。因此,电磁辐射在我们的生活中是无处不在的。

基于RFID技术的货柜车车架管控系统
基于RFID技术的货柜车车架管控系统

RFID读写器通过天线向电子标签发出微波查询信号,电子标签被读写器微波能量激活,接受到微波信号后应答并发出带有标签数据信息的回波信号。

射频模块ESD抗扰度应当如何考虑和设计?
射频模块ESD抗扰度应当如何考虑和设计?

硬件工程师在设计产品时,ESD抗扰度是一个重要的考虑指标。静电对于大部分电子产品来说都存在危害,射频模块对静电更加敏感。那么针对射频模块类产品,ESD抗扰度应当如何考虑和设计呢?

氮化镓在射频领域的优势盘点

氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体,也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外,氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键,该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。