国内 GaN 射频元件厂商生存现状分析,5G 时代是否能实现弯道超车?

2019-06-14 16:46:50 来源:EEFOCUS
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海威华芯

成都海威华芯科技有限公司由海特高新和央企中电科 29 所合资组建。2015 年 1 月,海特高新以 5.55 亿元收购海威华芯原股东股权,并以增资的方式取得海威华芯 52.91%的股权,成为其控股股东,从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。

 

 

海威华芯是一家纯晶圆代工企业,是国内较为领先的 6英寸 GaAs 晶圆代工企业,主要为军工企业服务。海威华芯 6 英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线于 2011 年开工建设, 2016 年 4 月完成工程建设,于 2016 年 8 月投入试生产。该生产线设计产能为 6” GaAs芯片 40000 片/年,GaN 芯片 30000 片/年,SIP 封装(微波组件)30000 片/年。但实际工程建设中,SIP 封装(微波组件)并未建设。

 

近期,海威华芯已经开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺,发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

 

未来,海威华芯将持续围绕移动通信、光电传感、电力电子三个方向投入研发、拓展业务。

 

三安集成

三安集成是中国第一家 6 英寸化合物半导体晶圆制造企业,规划中的产品包括用于射频、毫米波、电力电子和光通信市场的砷化镓(GaAs) HBT、pHEMT、BiHEMT、IPD、滤波器、氮化镓(GaN)功率器件HEMT、碳化硅(SiC)和磷化铟(InP)。三安集成通讯微电子器件项目位于厦门火炬(翔安)产业园,总投资为 30 亿元。规划产能为 30 万片/年 GaAs 高速半导体外延片及 30 万片/年 GaAs 高速半导体芯片、6万片/年 GaN 高功率半导体外延片及 6 万片/年 GaN 高功率半导体芯片。根据渠道消息获知,三安集成的 PA、电力电子器件已经正常出货。

 

 

今年三月份,美的集团选择与三安集成电路战略合作,未来双方合作方向将聚焦在GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅)半导体功率器件芯片与IPM(智能功率模块)的应用电路相关研发,并逐步导入白色家电领域。

 

中晶半导体

东莞市中晶半导体科技有限公司成立于2010年,公司以北京大学为技术依托,引进海内外优秀的产学研一体化团队,技术涵盖Mini/MicroLED、器件等核心领域。

 

 

中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展;同时,中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并进行全球产业布局。

 

结语

国内很多厂商的 GaN 射频器件的产线仍然在布局中,有的厂商仅仅是有对射频 GaN 发展方向的布局,并没有真正的生产 GaN 射频器件,所以国内对于射频 GaN 的布局相对来说还是比较欠缺的,要想在 5G 时代实现“弯道超车”,还需要拿出更大的研发力度来才行。

 

 
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钱玉锋
钱玉锋

与非网编辑,电科专业出身。愿与大家一起分享自己对电子圈的见解,抛砖引玉,还原最真实的电子圈。

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