射频前端元件,国内厂商任重道远

2019-09-08 15:16:00 来源:拓墣产业研究
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受到禁中限令影响,中国为求提高半导体自主生产比例及加速芯片去美化策略,电信设备商华为于基地台设备中使用的射频元件部分,目前已由原来的美系IDM大厂(如Qorvo等),逐渐转向日系IDM厂或台系制造代工厂为主,以实现去美化政策。

 

然而在半导体自主化部分,中系厂商由于技术层面还未到位,现阶段只能生产中、低阶功率放大器(Power Amplifier,PA)元件,且中国国内电信设备商暂不考虑使用其相关零组件。

 

中国半导体去美化政策,射频前端元件已逐渐选用日系及台系制造商做取代

由于国家通讯基础建设等需求,现行5G基地台设备中的关键零组件之功率放大器(PA),其发展性逐渐受到重视。

 

进一步探讨目前主要制造厂商状况,可分为IDM厂与制造代工厂。其中,IDM厂分为美系厂商(如Qorvo、MACOM与Wolfspeed等),以及日系厂商(如Sumitomo Electric、Murata等)两大阵营,而制造代工厂则以台系厂家稳懋、环宇及汉磊等为主要。

 

针对政府对于厂商使用的半导体商品已提出去美化政策,现阶段射频前端元件仍须依赖日系IDM厂及台系制造代工厂,借此摆脱美国政府提出的限令,并持续投入中国相关基地台之布建,加速5G发展时程。

 

中国射频前端元件商仍处发展阶段,技术尚待持续投入人力及开发资源

依目前发展情形,现阶段基地台设备内使用之功率放大器元件,中国厂商仍处于开发阶段,相较于其他国际大厂(IDM厂及制造代工厂),中国厂商的技术能量较为薄弱,相关技术还有很长的路要走。

 

发展中的中国IDM厂,目前有苏州能讯、英诺赛科与大连芯冠科技等;而制造厂代工厂则有海威华芯和三安集成等,现阶段皆以提供内需之射频前端元件等制造需求为主。

 

就现行中国射频前端元件市场情形而言,无论是IDM厂及制造代工厂的制程技术仍属于弱势,主要瞄准中、低市场需求。

 

假若未来中国厂商于技术开发上持续投入人力及开发资源,将有机会逐步赶上国际主流功率放大器元件大厂的发展脚步。
 

 
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