射频前端元件，国内厂商任重道远

受到禁中限令影响，中国为求提高半导体自主生产比例及加速芯片去美化策略，电信设备商华为于基地台设备中使用的射频元件部分，目前已由原来的美系 IDM 大厂(如 Qorvo 等)，逐渐转向日系 IDM 厂或台系制造代工厂为主，以实现去美化政策。

然而在半导体自主化部分，中系厂商由于技术层面还未到位，现阶段只能生产中、低阶功率放大器(Power Amplifier，PA)元件，且中国国内电信设备商暂不考虑使用其相关零组件。

中国半导体去美化政策，射频前端元件已逐渐选用日系及台系制造商做取代

由于国家通讯基础建设等需求，现行 5G 基地台设备中的关键零组件之功率放大器(PA)，其发展性逐渐受到重视。

进一步探讨目前主要制造厂商状况，可分为 IDM 厂与制造代工厂。其中，IDM 厂分为美系厂商(如 Qorvo、MACOM 与 Wolfspeed 等)，以及日系厂商(如 Sumitomo Electric、Murata 等)两大阵营，而制造代工厂则以台系厂家稳懋、环宇及汉磊等为主要。

针对政府对于厂商使用的半导体商品已提出去美化政策，现阶段射频前端元件仍须依赖日系 IDM 厂及台系制造代工厂，借此摆脱美国政府提出的限令，并持续投入中国相关基地台之布建，加速 5G 发展时程。

中国射频前端元件商仍处发展阶段，技术尚待持续投入人力及开发资源

依目前发展情形，现阶段基地台设备内使用之功率放大器元件，中国厂商仍处于开发阶段，相较于其他国际大厂(IDM 厂及制造代工厂)，中国厂商的技术能量较为薄弱，相关技术还有很长的路要走。

发展中的中国 IDM 厂，目前有苏州能讯、英诺赛科与大连芯冠科技等；而制造厂代工厂则有海威华芯和三安集成等，现阶段皆以提供内需之射频前端元件等制造需求为主。

就现行中国射频前端元件市场情形而言，无论是 IDM 厂及制造代工厂的制程技术仍属于弱势，主要瞄准中、低市场需求。

假若未来中国厂商于技术开发上持续投入人力及开发资源，将有机会逐步赶上国际主流功率放大器元件大厂的发展脚步。