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5G 深入导致射频前端不断升值,芯片整合将会变为趋势?

2019/10/14
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与非网 10 月 14 日讯,通讯世代从 2G 发展到 4G,每一代的蜂窝技术都出现不同面貌的革新。从 2G 到 3G 增加接收分集技术,3G 到 4G 则增加载波聚合,再到 4.5G 时则是增加超高频,4x4 MIMO,更多的载波聚合。

而这些变革都为手机射频发展带来新的成长动能。手机的射频前端是指介于天线与射频收发之间的通信零组件,包含滤波器、LNA(低噪声放大器)、PA(功率放大器)、开关、天线调谐等。

而随着进入 5G,更多的频段导入,以及涵盖更多新技术,使得射频前端零组件的价值不断上升。但智慧手机分配给该功能的 PCB 空间量却不断下降,而透过模块化提升前端零件的密度成为趋势。

但制造成本及是否易于实现芯片整合,则是取决于半导体原料,故既能满足高频需求,制造成本有优势,且易于呈现整合芯片的半导体原料,为了节省手机成本,空间及功耗,5G SoC 和 5G 射频芯片的整合将会是趋势。

根据芯片整合度,手机射频前端模块可以分为高、中、低整合模块。高整合的产品主要有 PAMiD 和 LNA DivFEM,主要用于中高阶手机;中度集成产品主要有 FEMiD、PAiD、SMMB PA 及 MMMB PA 等。

苹果、三星、华为等高阶智能手机就大量使用整合模块。举例来看,iPhoneX 中采用 Qorvo 的 PAMiD,Avago 的 PAMiD,及 Epcos 的 FEMiD。

根据 Yole 预估,全球射频前端市场将由 2017 年的 151 亿美元,成长到 2023 年的 352 亿美元,年复合成长率高达 14%。此外,根据 Navian 估计,模块化现在占 RF 元件市场约 30%,在不断整合的趋势下,模块化比率将在未来逐步上升。

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