虽然有些人认为 GaN 仍是一种相对较新的技术,但却无法否认它跻身一流技术行列的事实。GaN(又名“氮化镓”)技术即将取代硅 LDMOS,后者一直以来都是高功率应用的首选。GaN 是一种 III-V 直接带隙半导体技术。由于其具备更高的效率、出色的高压可持续性、更低的功耗、更高的温度属性和功率处理特性,GaN 在功率电子设备领域的应用越来越广泛。
 
这些属性使 GaN 成为 5G 射频的焦点,尤其是在毫米波 5G 网络中。虽然我们都“听说过”5G 的各种前景,随着主要的无线网络运营商向其客户推出 5G 服务,如今大城市中的许多人,更确切地说大约有 500 万人,开始了解这些前景。但其实我们尚未到那一步。完全不是那么回事。我们的目标是到 2025 年连接 28 亿用户。要实现这一目标,就意味着要改造整个移动基础设施,虽然这是一项复杂的任务,但却是能够完成的。借助 GaN 技术,5G 将在不知不觉中达到数十亿用户。
 
最近,Embedded.com 邀请 Qorvo 的 Roger Hall 撰写了一系列 5G 文章,说明构建基础设施的复杂性,以及在普及 5G 的创新中哪些方面适用 GaN。下面是每篇文章的摘要,并附有链接,以便大家深入了解。
 
5G 和 GaN:全面了解 6GHz 以下大规模 MIMO 基础设施
在这篇文章中,Roger 说明了运营商在推出 5G 时,利用大规模 MIMO 技术最小化成本和提高容量的优势。他还探讨了 6GHz 以下技术,并说明了为什么该技术对 5G 的采用和扩展至关重要。  此外,他还谈到了如何在大规模 MIMO 基础设施应用中使用 GaN。了解更多信息 >
 
5G 和 GaN:从 LDMOS 向 GaN 的转变
在这篇文章中,Roger 解释了 6GHz 以下 5G 基站的功率需求如何推动硅 LDMOS 放大器向基于 GaN 的解决方案转变,以及 GaN 为何能成为许多射频应用的可行技术。他还回顾了工程师需要在这两项技术之间进行的一些权衡,以及 GaN 为何能成为许多 5G 解决方案的首选。了解更多信息 >
 
5G 和 GaN:嵌入式设计人员需要了解的内容
在前一篇博文的基础上,Roger 就嵌入式设计人员如何充分发挥 GaN 的潜力发表了自己的见解。他还讨论了人们对 GaN 的误解,探讨了 GaN 的特性,并提供了最大化 GaN 性能的最佳实践。了解更多信息 >
 
5G 和 GaN:未来创新
在本系列博文中的第四篇也是最后一篇文章中,Roger 展望了未来 GaN 在基站中的角色。他还简要介绍了目前正在进行且在未来可提高线性效率、功率密度和可靠性的 GaN 创新,以及这些改进的影响。了解更多信息 >
 
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关于 Roger Hall
Roger Hall
Roger 是 Qorvo 高性能解决方案部门总经理。他负责无线基础设施、国防和航天以及电源管理市场的项目管理和应用设计。这一领导角色使其能够以独特的视角来审视和解释射频技术在推动未来创新方面发挥的重要作用。