基于现在的智慧城市概念,越来越多的人开始选择南京中科微的超低功耗无线射频芯片SI24R2E,研发设计袖珍型标签。

SI24R2E简介:使用国外IP核固化,确保标签不会因为死机并且带来了非常可观的超低功耗睡眠电流 0.5uA。经过每年20kk pcs的出货,在性能上得到市场认可,并带来了全新的设计概念的SI24R2F,尽请期待,美好如期而至。

2.45G有源RFID标签行业,目前根据行业不同,对标签的工作寿命的要求都是一致的,要求工作年限足够久。那么在PCB设计上就需要引起大家的注意。

1.SI24R2E的  CE、CSN、SCK、MOSI 四个引脚强制10K电阻上拉,普通精度的电阻即可。

2.选用16MHz  9pf负载电容的晶振,起振速度快,芯片在standby转换到TX模式的时间减短。

3.电池端储能保护电容合理选用。理论上,发射功率0dbm,选用电容需不低于22uF。发射功率4dbm,选用电容不低于47uF。发射功率7dbm,选用电容不低于100uF。(实际应用中,还是会有电容击穿的概念,在生产中一定要严格注意功耗测试时,整机的静态功耗是否异常,漏电流较大的电容较容易击穿)

4.有条件的客户,电池不要使用人工焊接。通过机器点焊,人工带来的不确定性,后续是无法通过验证不良品的。

5.触点烧录的客户,要注意VCC和GND之间的位置,放置因为夹具带来的不确定性,造成电池短路引入永久损坏的可能性。

下一期预告:SI24R1与蓝牙4.0的关系。