关于3D NAND的所有信息
长江存储自制3D NAND芯片明年问世,存储格局改朝换代还远吗?

2016年底长江存储将兴建首座12吋厂,最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片,尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代,然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。

江波龙:以技术手段应对闪存缺货

二维空间的摩尔定律已经难以为继,但固态硬盘(SSD)对传统机械硬盘市场的掠夺还在继续。因为闪存芯片厂商改用立体堆叠技术(3D NAND)来增加存储密度,从而继续降低单位存储容量的价格,以逼近机械硬盘成本。 明年3D NAND闪存将成为主流 “虽然SSD在笔记本市场的市占率超过了30%,但我认为SSD取代传

3D NAND引领新潮流,江波龙国内首发3D TLC SSD,新品于9月量产

江波龙推出的SSD新品- S409系列,是国内首款基于3D TLC NAND Flash的SSD,9月正式量产,其出色性能、低功耗、可靠性等优势,满足广大消费者用户对SSD更高的需求,给用户带来卓越的性能体验。

东芝开始全球首批64层3D NAND闪存的样品出货

东京-东芝公司(东京:6502)今天宣布最新一代BiCS FLASH三维(3D)闪存存储器,采用了堆栈式单元结构[1]。该款64层工艺的存储器于今天成为了世界首款[2]样品出货的产品。新型存储器采用3-bit-per-cell(1个存储器储存单元可存放3比特的数据)技术,实现了256Gbit(32GB)的容量。

日本七大设备商订单猛增,下半年日子没这么好过

报道指出,日本设备商订单走扬有两大助因,一为使用于伺服器的3D NAND Flash等次世代芯片制造设备需求旺盛;一为台积电、英特尔(Intel)对运算处理用芯片的细微化投资。

3D NAND SSD价格战开打,英特尔拼了

英特尔(Intel)近期一口气发布多款新固态硬碟(SSD)产品,将其3D NAND晶片进一步推向消费型与企业级固态硬碟市场。值得注意的是,这些新款SSD一律采用PCIe Gen3介面并支援NVMe协定,读写效能远优于采用SATA介面的现有产品,同时也打破了NVMe以往仅见于企业或高阶消费市场产品的局面。

预算超17兆韩元,三星为了OLED也是拼了

2016年进入到下半场,三星为强化竞争力,资本支出将毫无保留,估计预算超过17兆韩圜,较2013年同期所创史上最高纪录14.72兆韩圜,还要高出一大截(15.5%)。除了务求守稳在半导体与面板业的领先地位,三星还希望同时冲刺生技制药业务。

供不应求压力缓解,NAND Flash价格要走下坡路

由于上游芯片厂持续将产能移转生产3D NAND,导致2D架构NAND Flash产出量下滑,因此今年5月以来NAND Flash价格持续走高,不过8月以来因为价格涨高后开始压抑终端需求,因此NAND Flash缺货压力已获缓解。

全球3D NAND竞争形势加剧,三星玩到了80层?

有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外,有分析师预测在2018年中期,全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下,价格有可能低到每Gb约3美分。目前,中国正在下大力度推进存储产业的发展,3D NAND被认为是一个有利的突破口。

在3D NAND风暴到来之前需要知晓的是什么?
在3D NAND风暴到来之前需要知晓的是什么?

自2013年8月三星首先宣布它的3D NAND成功推出,之后的每年它都会前进一步,由24层,32层,48层,到今年第四代的64层,以及2017年可能是80层。

借力半导体产业发展机遇,美光三星纷纷出新货

继三星发布了UFS 2.0高速储存卡之后,美光日前发布了全球首个手机3D闪存。闪存科技快速发展折射出当前对于高科技芯片的广阔需求。

泛林推出业界首创的用于低氟钨填充的原子层沉积工艺

美国加利福尼亚州弗里蒙特市——全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团(纳斯达克股票代码:LRCX)今天宣布推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积 (ALD) 工艺,标志着其业界领先的 ALTUS® 产品系列又添新成员。

外媒质疑长江存储:3D NAND不是你想做就能做

近日有外媒分析师对中国的存储器产业战略以及长江存储进军存储领域的前途表示质疑,小编整理出来,我们不妨抱着一种开放的心态,看看这位老外到底是怎么看的?是偏见还是中肯的意见?

存储器是一场持久战

中国终于下决心要做存储器芯片,武汉新芯计划投资240亿美元,于2018年开始量产3DNAND闪存,引起全球的热议。客观地说能够下这样的决心是十分不易,国内,国外抱怀疑者很多,基本上反映中国欲进军存储器业的现实。 中国半导体业处于特定环境中,提出产业的自主可控是迫不得已。西方总是冷眼相对,控制及干扰我们的先进技术进步,所以

如何才能把半导体这个花钱的产业办成一件赚钱的事

徐小田第一次呼吁要把中国半导体产业这个花大钱的产业变成赚钱的事。 业界共识是产业一定要赚钱,否则无法持续。中国半导体业发展在现阶段采用“大基金”为主导,成绩卓然。然而此等“输血式”的支持方式不能太久,它迟早要回归到市场经济规则上来,因为中国企业的成长不可缺失在全球化竞争中的

别人都投资3D NAND了,美光在DRAM领域的机会来了

自从上周股票触顶达到14.05美金以后,美光的股票开始回落至五月中旬的水平,我估计会出现更大的损失。为什么?S&P500指数在前市场下降22(2000年的今天完成的),这意味着,由于Brexit 投票带来的惊喜更大的损失会在上周五的前75处理市场出现。这表示更低的价格会出现在股票市场(未来2到3周时间),美光所处的半导体市场会持续。(见下

美光秀出3D NAND SSD,容量的确惊人

美光在台北国际电脑展上正式发表两款3D NAND SSD产品,Micron 1100 SATA与2100 PCIe NVMe,其中Micron 1100 SATA预计将在7月开始生产,而2100 PCIe NVMe将在今年夏季末开始生产。

3D NAND芯片市场上,武汉新芯有多大的胜算?

近日中国半导体业最引人关注的爆炸性新闻是武汉新芯计划2018年量产48层3D NAND,及它的投资240亿美元的计划。

用什么来衡量中国芯片制造业的发展水平?

近日中国半导体业最引人关注的爆炸性新闻是武汉新芯计划2018年量产48层3D NAND,及它的投资240亿美元的计划。 中国上马存储器芯片制造己经酝酿己久,众说纷纭,有附和者,也有人表示担心。因为工艺技术等问题很多,担心是完全正常的。目前3DNAND三星走在前列,它的第三代3DNAND去年已开始48层,256GB量产。3

为了上新工艺,晶圆厂要下血本了!
为了上新工艺,晶圆厂要下血本了!

3D NAND、DRAM与10nm制程等技术投资,将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升,预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%,达372亿美元;而2017年则可望再成长13%,达421亿美元。