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  • 专栏︱SOI与FinFET技术谁更优
    1999年，胡正明教授在美国加州大学领导着一个由美国国防部高级研究计划局（DARPA）出资赞助的研究小组，当时他们的研究目标是CMOS技术如何拓展到 25纳米及以下领域，显示有两种途径可以实现这种目的：一是立体型结构的FinFET晶体管（鳍式晶体管），另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术 (UTB-SOI,也就是我们常说的FDSOI
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    2017/02/06
    FinFET 莫大康
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