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  • DRAM工艺快追上CPU了
    近期，DRAM制造工艺又实现了一次突破，这次操作来自于SK海力士，该公司宣布，已成功开发出全球首款采用HKMG（High-K Metal Gate）工艺的LPDDR5X内存，采用1αnm制程，该款LPDDR5X与上一代产品相比，功耗降低了25%，数据传输速率提高了33%，并在JEDEC设定的1.01V-1.12V超低电压范围内运行。
    3174
    2022/11/17
    dram HKMG
  • hkmg和sion工艺是什么 hkmg工艺的优势和缺点
    hkmg（High-k Metal Gate）和sion（Silicon Oxynitride）是集成电路制造中常用的两种工艺。hkmg工艺利用高介电常数的金属栅极材料以及氧化物绝缘层来取代传统的聚合物栅极，而sion工艺则使用氮氧化硅作为栅极绝缘层。
    1.1万
    2022/11/16
    HKMG
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