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  • 英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准
    英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET,  以更高的功率密度和效率树立行业新标准
    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。
  • 英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET
    英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET
    小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外,更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容,此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案,在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用,如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源(SMPS)里的同步整流等。此外,新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。