全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 —— FFSH40120ADN,纳入即将推出的SiC解决方案系列。
全球知名半导体制造商ROHM亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(ELEXCON 2015)”。ROHM所带来的高新领先技术、强势多元化的产品、以及多种解决方案,受到来场参观者的 广泛好评。
10月7日至10月10日,在日本千叶举办的2015年日本高新电子展(CEATEC JAPAN 2015)上,一只美丽轻盈的千纸鹤优雅的盘旋在展馆上空,引发了一阵阵的观众热潮。
日本风险企业FLOSFIA(总部:京都市)开发出了耐压为531V、导通电阻仅为0.1mΩcm2的肖特基势垒二极管(SBD)。该公司称,导通电阻比“市售的SiC SBD还低”。
世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
9月9日下午,在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下,由第三代半导体相关科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”(简称“联盟”)正式成立。
日前,碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。
4 小时前 预计 8 分钟阅读完
5 小时前 预计 16 分钟阅读完
【QFP封装】芯片实物实拍,小白也能看懂的芯片封装超详细讲解
6 小时前 预计 1 分钟阅读完
8 小时前 预计 3 分钟阅读完
10 小时前 预计 17 分钟阅读完
【DIP封装】芯片实物实拍,小白也能看懂的芯片封装超详细讲解
10 小时前 预计 1 分钟阅读完
“放弃自研域控制器”,缘何成为一些L4级自动驾驶公司的共同选择?
10 小时前 预计 27 分钟阅读完
11 小时前 预计 6 分钟阅读完
11 小时前 预计 13 分钟阅读完
11 小时前 预计 9 分钟阅读完