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如今在功率半导体市场上,来自工艺材料方面的竞争十分激烈,传统硅材料和新兴的SiC、GaN工艺各有拥趸。作为SiC工艺的几大主力供应商之一,ROHM(罗姆)公司可以说是结合自身优势选择了一条差异化的发展之路,日系厂商一直擅长材料开发,加上其特有的一条龙的生产体制,让其在SiC这种对材料、工艺的特性参数的细微调节要求极其严苛的技术领域中占据有
全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
近日,市场上领先的半导体制造商CREE(科锐)牵手国内最优秀的半导体分销商世强,正式授权后者为其中国地区代理商。
近日,第三代半导体材料及应用联合创新基地共建工作会在北京召开。与此同时,第三代半导体联合创新创业孵化中心也正式揭牌。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条MOS电容器。
全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出额定1200V/300A的“全SiC”功率模块“BSM300D12P2E001”。本产品实现了300A的额定电流,因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。
近日,中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
国内上市公司纷纷涉足宽禁带半导体,我们从三大维度看好:实现国家战略层面的弯道超车:半导体行业实现技术升级以及股票层面将形成板块效应,我们此前的三安光电报告是市场第一篇详细描述化合物半导体的深度报告。此行业报告也是市场上领先的深度梳理宽禁带半导体行业的报告。
全球知名半导体制造商ROHM开发出在大功率(高电压×大电流)逆变器和伺服等工业设备中日益广泛应用的SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC“BD7682FJ-LB”。
为进一步推进SiC功率半导体的应用,丰田汽车公司尝试在混合动力车用于控制电动机驱动力的动力控制单元(以下简称PCU)中使用 新材料SiC功率半导体,并将该技术搭载在凯美瑞混动版的试制车上,于2015年2月起在丰田市周边的公路上进行为期1年的道路试验。
乐金集团(LG Group)主要透过旗下3家子公司发展系统IC事业,其中,Silicon Works为2014年乐金以购并方式纳为子公司,Lusem为2004年乐金与日厂LAPIS Semiconductor合资成立,而乐金电子(LG Electronics)旗下系统整合晶片研究所则主要开发家电及智能手机用SoC。
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。
日前三安光电公告称,有着三安光电员工股份背景的鑫众1号集合计划已购买5030.16万股公司股票,金额共计74208.39万元。为何有公司员工背景的集合理财计划如此有底气地增持公司股份?近年来的A股市场经验显示,凡是有员工、高管积极增持的公司股票价格走势均较为乐观,那么,如此的增持信息是否意味着三安光电的未来股价走势也值得期待呢?
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管,以满足电动汽车和插电式混合动力汽车(PHEV, Plug-in Hybrids)等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,临界击穿场强大,热导率高,饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。
当我们把目光投向每天出现在我们的生活中的很多智能系统和小工具 - 从电子书阅读器到医疗设备,从电动汽车到混合动力车,会很自然地假设是由于硅半导体技术的发展使一切变成可能,相关的尺寸和功耗的代代下降遵从大名鼎鼎的摩尔定律。
2014年9月18日,全球有机硅及宽禁带半导体技术领先企业道康宁公司今日宣布向市场推出突破性的Prime Grade产品组合,开始供应直径为150毫米的碳化硅(SiC)晶片,进而再次将碳化硅晶片品质的行业标准提升至新的高度。而此前该公司推出的Prime Grade产品组合已为100毫米的碳化硅晶片品质设定了全新标准。
本文基于SiC MESFET 设计实现了在L波段输出功率大于30W得高效率E类功率放大器。放大器的输入输出匹配网络采用微带传输线实现,利用ADS进行了仿真分析和优化,并给出了具体设计和实现过程。实际测量表明,该功率放大器在工作电压为35V,输入功率为2.5W的情况下,最大输出功率可以达到32.5W,漏极效率达到64%。
谈到上天入地的科技之旅,我们首先想到的应该是搭载在航空航天和高速列车上的半导体产品,以及入地更深的石油勘探设备。而因为半导体的制造使用高温扩散和离子注入等掺杂技术,导致一般半导体产品的性能和寿命在高温环境下变得不可靠,所以“上天入地”需要付出更高的技术代价。另一方面,即便是在不严苛的环境中,我们发现很多领域也对半导体产品的寿命有着越来越高
碳化硅(SiC)俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒,并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中,在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用。如今碳化硅
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