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宽禁带

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  • 【向宽禁带演进】: 您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗?
    碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面,这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性,而这些局限性源自其是一种窄禁带材料,所以会引发不良的导电性泄漏,且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率,相当于半导体运行失效。 在这两种宽禁带材料中,GaN主要适合中低档功率
  • 从测试角度看宽禁带技术的挑战,泰克为工程师提供简化工具
    从测试的角度来看宽禁带技术带来的诸多挑战,例如如何筛选不同厂家的器件及必要性,如何解决目前宽禁带器件应用测试和驱动测试的难题,如何能充分发挥器件的性能等。泰克针对性的测试解决方案覆盖了从半导体材料、生产、可靠性到电源设计应用的全流程,帮助用好宽禁带技术,推动技术进步。 不断增长的电力电子市场受到氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)半导体的驱动,这些半导体目前被应用于汽车和射频通信等
  • 知名行业领军人物Dieter Liesabeths加入VisIC 担任产品高级副总裁
    作为汽车应用氮化镓(GaN)解决方案的全球领导者,VisIC Technologies LTD公司很高兴地宣布: Dieter Liesabeths将加入公司,担任产品高级副总裁。