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AMEYA360|ROHM罗姆首次推出硅电容器BTD1RVFL系列
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新开发出在智能手机和可穿戴设备等领域应用日益广泛的硅电容器。利用ROHM多年来积累的硅半导体加工技术,新产品同时实现了更小的尺寸和更高的性能。
AMEYA360电子元器件供应平台
2928
2023/09/14
电容器
硅器件
ST 和Exagan开启GaN发展新篇章
氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,GaN与同尺寸的硅基器件相比,可以处理更大的负载,能效更高。
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2021/09/07
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