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碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体
三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器,其基本原理就是SPWM,硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路,桥式输出至负载间串接低通滤波元件,控制回路具有两个信号产生源,一个是固定幅值的三角波(调制波)发生器,一个为正弦波发生器,利用三角波对正弦波进行调制,就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列,调制比不同,一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率)。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路,在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。
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2023/12/11
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意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置
意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统设计灵活性。
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2023/10/30
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中国车用碳化硅功率模块的成长之路
在全球汽车电动化的浪潮下,汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件,成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代,开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。
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2023/08/08
《汽车电子瞭望台》系列
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碳化硅功率器件封装关键技术
与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁带宽度更大,这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度,抗辐照能力得到提升;碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍,因此,其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度,与相同电压等级的硅功率器件相比,导通电阻更低;碳化硅具有高电子饱和速度的特性,使器件可工作在更高的开关频率;同时,碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。
森国科
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2023/07/27
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如何看待Tesla宣称硅削SiC
Tesla在投资者日上宣布将削减动力总成中SiC(碳化硅)器件达75%,但未提供足够的背景信息。他们所声称的背后是否有实质性的支持?此事不仅涉及SiC供应商的股价,还关乎SiC行业的未来,以及Tesla对整个电动车行业其它OEM的影响。
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