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产品特性

灵活的逻辑架构

6款从256到6864 LUT和从18到335I/O

极低功耗产品

65nm低功耗工艺
低至19 µW的待机功耗

嵌入式和分布式内存

高于240 Kbit的sysMEM™嵌入式BRAM
高于54Kbits的分布式RAM

片上用户闪存

高于256Kbits的用户闪存
100000写周期
可以做为软核PROM或者做为闪存使用
 

高性能、灵活的I/O缓冲器

可编程sysIO缓冲器支持宽泛
IO支持热插拔

灵活的片上时钟

八个主要时钟
每个高速I/O接口边缘最高两个边沿时钟

非易失性、无限可重构

瞬时上电只需微秒
通过JTAG、SPI、I2C可编程

宽泛的封装选择

TQFP封装,WLCSP封装,ucBGA等等
2.5x2.5mm小封装
 
产品概述
      无限可重构的可编程逻辑器件(PLD)MachXO2系列为低密度PLD设计师提供了在单个器件中前所未有的低成本、低功耗和高系统集成的组合。优化的查找表(LUT)架构和65纳米嵌入式闪存工艺技术相结合,与前一代的MachXO PLD系列比较,MachXO2系列增加了3倍的逻辑密度、增加了10 倍的嵌入式存储器、静态功耗减少超过100倍,成本降低达30 %。此外,MachXO2系列包括固化了在系统应用(电信基础设施、计算、高端产业、高端医疗)和消费电子应用(智能手机,GPS设备,移动计算,数字相机)中实现的一些最流行的功能。这些包括用户闪存(UFM)、I2C、SPI和定时器/计数器。因此,通过提供这些特性和功能,MachXO2系列为从事低密度应用的设计人员提供一个 "全功能的PLD"。
【新闻】莱迪思MachXO2 PLD系列为低成本、低功耗设计树立新标准
相关框图
针对于消费电子钟的机顶盒和PDA
针对消费电子中的智能手机和数码相机
MachXO2为系统设计而优化举例(一)
MachXO2为系统设计而优化举例(二)
关于MachXO2
MachXO2系列为低密度PLD设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本、低功耗和高系统集成。与前一代的MachXO PLD系列比较,MachXO2系列增加了3倍的逻辑密度、增加了10倍的存储器、静态功耗减少超过100倍,成本降低达30 %。此外,MachXO2系列固化了实现一些最流行的功能,如用户闪存(UFM)、I2C、SPI和定时器/计数器。因此,通过提供这些特性和功能,为从事大批量、成本敏感设计的设计人员提供一个 “全功能的PLD”。
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