产品特性
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灵活的逻辑架构●6款从256到6864 LUT和从18到335I/O极低功耗产品●65nm低功耗工艺●低至19 µW的待机功耗 嵌入式和分布式内存●高于240 Kbit的sysMEM™嵌入式BRAM●高于54Kbits的分布式RAM 片上用户闪存●高于256Kbits的用户闪存●100000写周期 ●可以做为软核PROM或者做为闪存使用 |
高性能、灵活的I/O缓冲器●可编程sysIO缓冲器支持宽泛●IO支持热插拔 灵活的片上时钟●八个主要时钟●每个高速I/O接口边缘最高两个边沿时钟 非易失性、无限可重构●瞬时上电只需微秒●通过JTAG、SPI、I2C可编程 宽泛的封装选择●TQFP封装,WLCSP封装,ucBGA等等●2.5x2.5mm小封装 |
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产品概述
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相关框图
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