PCM能否成为下一代存储技术标准？-PCM能否成为下一代存储技术标准？

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CM能否成为下一代存储技术标准

PCM能否成为下一代存储技术标准？

“下一代存储器技术既不是MRAM(磁阻式随机存储器)，也不是FeRAM(铁电随机存储器)，而是目前还正处于研发阶段的PCM(相变存储器)”，华中科技大学电子工程系教授缪向水在今年的IIC-China 2009武汉站信心满满的分析过。而在今年年初恩智浦首席技术执行官也在一场技术研讨会上高调表示：PCM非常具有发展前景，公司将持续关注该技术。除此之外，瑞萨与日立、英特尔和三星电子等半导体厂商在PCM技术方面也是虎视眈眈，磨刀相向。

那么，究竟在经历了2008~2009年度严重经济衰退影响之后，什么技术将引领存储行业再度起飞呢？DRAM、闪存抑或是本专题中介绍到的PCM技术？……

应用笔记

恒忆高工：非易失性半导体存储器的相变机制
目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制，相变存储器（PCM）就是其中最被业界看好的非易失性存储器，具有闪存无法匹敌的读写性能和升级能力，具体技术细节见本文...[查看全文]

相变存储器驱动电路的设计与实现
本文介绍了一种新型的、结构简单的相变存储器驱动电路设计, 该电路采用电流驱动方式, 主要包括基准电压电路、偏置电流电路、电流镜电路及控制电路...[查看全文]

相变存储器的高可靠性多值存储设计
基于相变存储器(PCM) 已有的2T2R 结构，提出一种以比值为导向的状态定义方法，以实现2T2R 结构下PCM 的多值存储。它在相变电阻具有4 态可编写的能力下，可以实现单元内8 态存储，同时对小尺寸验证....[查看全文]

四方杂谈

那些存储技术适用于更低工艺节点？
在关机之后，许多应用的存档数据或系统信息不能丢失。这些任务就落在可在线写入(至少一次，通常许多次)的非易失性(NV)存储器身上...[查看全文]

鲜为人知的闪存特性保护数据和知识产权
你设计一个系统，却被人给搞坏了。当然，损坏有时不是故意的。一个服务提供商在你的设备上安装软件，可能会损坏原来的代码。虽然不是故意的，但不能说不是一个问题...[查看全文]

恒忆高管PCM技术问答录
PCM是一个非常新的产品，在我们推出以后，我们也希望能够把它标准化，因为这个市场并不是恒忆一家完全垄断的，我们希望更多的厂商能够加入到共同研发和推动PCM市场的阵营之中...[查看全文]

最新进展


恒忆与三星电子宣布将共同开发制定相变存储器 (PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助...[查看全文]

基础知识

相变存储器（PCM）技术基础
相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息...[查看全文]

恒忆PCM的特征及性能
恒忆PCM集结了NOR、NAND和RAM的最佳特性，简化了存储器产品，而且单个芯片具备更多性能。下面表格归纳了这些特征...[查看全文]

有关存储器的基本知识
存储器（Memory）是计算系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算过程中的全部信息...[查看全文]

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