安森美半导体领先业界的IGBT获中国《电子产品世界》 颁发最佳功率元器件奖

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 2014年5月28日 – [size=13.333333969116211px]推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)获中国主要半导体行业杂志之一的《电子产品世界》[size=13.333333969116211px]2013年度电源技术及产品奖之功率元器件类最佳产品奖。这每年一度的奖项表彰六个不同类别的优秀产品。
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[size=13.333333969116211px]安森美半导体的高性能第二代场截止型(FSII) IGBT系列扩充了额定电流范围，为不间断电源系统(UPS)、电火锅、电饭煲及微波炉等电源应用提供高能效、高速开关能力。获奖器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有优异的开关性能及更低的导电损耗，用于15至30 千赫兹(kHz)中等频率工作的电磁加热及软开关应用。这些器件在大电流时提供极佳的强固性和优异的导通状态特性，根据系统要求经过优化，以提供更高能效及降低系统损耗。
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[size=13.333333969116211px]安森美半导体的FSII IGBT技术进一步扩充， 还包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，专门设计用于太阳能逆变器、UPS及变频焊机应用。这些器件提供增强的热性能，结点工作温度范围达-55到+175°C，并将额定电流能力提升至采用TO-247封装条件下 的100 A。
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[size=13.333333969116211px]安森美半导体提供高品质及可靠IGBT的实力悠久，其中通过汽车AEC-Q认证的IGBT量产已超过10年。2011年，公司开始开发新的高压/大电流IGBT，用于不断增长、持续需求高能效方案的工业及消费类市场。2012年，公司发布采用专有沟槽场截止型技术的首个完整IGBT产品系列，媲美同类技术。此次获奖的FSII IGBT产品系列于2013年5月发布，进一步巩固安森美半导体的技术领先者地位，现又获得了《电子产品世界》[size=13.333333969116211px]读者投票及专家评审小组的认可。
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《电子产品世界》[size=13.333333969116211px]的年度电源技术及产品奖已踏入第11届，接受世界各地的嵌入式系统供应商提名。《电子产品世界》颁授最佳产品奖及最佳应用奖予六个产品类型，得奖产品由网友投票及《电子产品世界》[size=13.333333969116211px]委任的业界专家评审选出。