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锐骏RU30D20M3双N沟道高级功率MOSFET

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发表于 2023-9-27 11:30:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
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特征:
30V/20A,
Rps(ON)=8.5mQ(类型)@VGs=10V
RDs(ON) =11.5mQ(典型值。)@VGs=4.5V
使用Ruichips先进的TrenchTM技术
优秀QgxRDs(on)产品(FOM)
可靠耐用
100%雪崩测试
提供无铅绿色设备(符合RoHS标准)

应用程序:
切换应用系统
服务器的板载电源
同步整流

基本参数:
漏极电压:30V
栅极电源:+20V
储存范围温度:-55°到150°
二极管连续正向电流:20A
300us脉冲漏电测试:80A
二极管正向电压:Isd=20V,VGs=V0
漏源导通电阻:VGS=10V,IDS=10A,VGS=4.5A,IDS=8A
邱工:18028337418(微信同步)QQ:3101377292
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