利用晶体管的数据手册估算上限截止频率

跳跃的开发板

首先需要说明，利用现有晶体管数据手册，要想准确计算某个放大电路的上限截止频率，是极为困难的。但是，晶体管数据手册，基本具备如下参数，可以帮助我们做出粗略的估计。

特征频率fT

当输入信号频率越来越高时，晶体管的β会下降，当f=fT时，β下降为1。此频率称为 晶体管的特征频率，在一些数据手册中，此值也被称为电流增益带宽积[Current Gain Bandwidth Product〕。

定性结论是，晶体管的特征频率越高，其放大高频信号的能力越强。一般小信号晶体管，其fT约为l00MHz~500MHz ,而高频晶体管，fT会高达几十GHz

在定量分析中，有下式成立：

可以看出，所谓的特征频率，主要取决于模型中的输入回路参数，rbehe和Cb,e。 fβ和fα

当输入信号频率越来越高时，晶体管的β会下降，当f=fβ时，β下降为低顷时的0.707倍。当β下降， 会导致α=β（1+β）也下降，当f=fα时，α下降为低频是的0.707倍，很显然，fβ远小于fα和fT。这两个频率 点，虽然也具有一定的物理含义，旦在很多教科书中强调，但是其实际应用价值很低。在晶体管数据手册中一般也不会出现。

输出电容C〇bo :

用来描述输出回路的关键参数，在频率分析时可以视为模型中的Cbc。也有一些数据 手册用反馈电容来描述此值，称为Cre

举例1:

电路如图Section54-l。参数见图，中频电压放大倍数为143倍。BF570为NXP公司的 中频晶体管，其数据手册有如下与_相关的参数（以下为截图）：

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lzmilypforev

学习一下

lzmilypforev

算了很久算不对，学习一下

zone123

求隐藏内容，不会算啊

wqxh2002

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