CoolSiC™ MOSFET:功率转换系统的革命

2021/07/28
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CoolSiC™ MOSFET:功率转换系统的革命

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碳化硅SiC晶体管越来越多地应用于功率变换器中,对其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅优异的材料特性使快速开关单极性器件的设计成为可能,而不是双极性IGBT器件。因此,只有在低压世界(<600 V)才有可能实现的解决方案,现在在更高的电压下也有可能实现。其好处是更高的效率,更高的开关频率,更好的散热和节省空间,反过来也可以导致整体成本较低。
同时,MOSFET已被普遍接受为选择的概念。起初,JFET结构似乎是将性能和可靠性融合到SiC晶体管中的最终选择。然而,随着150mm晶圆技术的发展,基于沟道的sicmosfet也变得可行,因此,DMOS的性能或高可靠性的困境现在可以得到解决。

公司介绍

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

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