高压 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鉴定

2022/08/10
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高压 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鉴定

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凭借英飞凌在电力电子领域的专业知识和众多宽禁带 (WBG) 相关 IP 产品系列,高压 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 代表着一项重大工程进步。这些非常耐用、可靠的器件大大改善了即将实现的功率转换开关器件的品质因数 (FoM)。这些器件系统性能出色——实现了更高水平的效率及行业领先的功率密度,还降低了整体系统成本。

公司介绍

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

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