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意法半导体MasterGaN®系列新增优化的非对称拓扑产品

基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

2021-01-18 07:33 分类：模拟/电源意法半导体 GaN

人工智能十年回顾：CNN、AlphaGo、GAN……它们曾这样改变世界

过去十年间，人工智能技术突飞猛进，最疯狂的科幻小说场景现在已经成为我们生活中不可或缺的一部分。十年前，人们在谈论 AI 的理论化和实验，但这些年来，AI 变得更加切实了，也变成了主流。

2021-01-13 08:41 分类：基础器件 CNN 人工智能

文本一键创作图像，OpenAI祭出的黑科技哪里与众不同？

通过神经网络去生成图像，这种技术并不新颖。此前，生成对抗网络（GAN）已被广泛用于创建真实的人、宠物、租赁房产和食物的照片。不过，DALL-E的独特之处在于.......

2021-01-07 10:54 分类：传感技术 OpenAI DALL-E

人器榜|GaN疾行,洗牌将至,全球TOP10热度的开关电源变压器

氮化镓的爆发致使消费者开始追求功率密度更高的电源，相应的组成传统开关电源的有源无源器件都在面临封装体积更小需求的挑战，在这其中，传统硕大的变压器可谓首当其冲，那么目前热度最高的一些开关电源变压器是否会出现新一轮的洗牌？本期我们关注SMPS变压器。热度前10的SMPS变压器基本上被TE ,Pulse Elec

2020-12-25 09:37 分类：基础器件变压器电源变压器

报告丨《第三代半导体之GaN研究框架》

5G 通信对射频前端有高频、高效率等严格要求，数据流量高速增长使得调制解调难度不断增加，所需的频段越多，对射频前端器件的性能要求也随之加高；载波聚合技术的出现，更是促使移动基站、智能手机对射频前端器件的需求翻倍，给 GaN 发展带来新契机。

2020-12-22 10:04 分类：基础器件半导体 GaN

CEA-Leti在IEDM 2020上的论文重点介绍了在克服制造GaN节能、电力电子设备方面的挑战方面取得的进展

氮化镓被认为是广泛用于消费和工业用途的硅的高效替代品。

2020-12-17 07:44 分类：模拟/电源 CEA-Leti GaN

CEA-Leti在IEDM 2020上的论文重点介绍了在克服制造GaN节能、电力电子设备方面的挑战方面取得的进展

GaN系统2021年预测：随着GaN技术从早期采用到主流接受，达到了临界点

2020年即将结束，毫无疑问，我们将回顾过去的十二个月，这段时间是颠覆性发展的标志。在Covid-19带来的前所未有的社会经济动荡中，组织不得不以新的方式进行枢轴化，战略化，适应性调整和变革- 这一方式要比历史上任何时候都要灵活得多。

2020-12-10 07:30 分类：模拟/电源 GaN 数字化

NVIDIA Research使用有限的数据集实现AI训练突破

数据增强技术使AI模型能够基于大都会艺术博物馆的一个小型数据集来模仿艺术作品，并在医疗健康等领域开创全新的潜在应用。

2020-12-09 15:18 分类：通信/网络 NVIDIA 神经网络

GaN功率级设计的散热注意事项

在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将GaN用于各种功率级别、拓扑和应用中。

2020-12-07 07:39 分类：模拟/电源 GaN 散热

电动汽车简化设计，“减重瘦身”不再难

目前，电动汽车电池行业五分之二的顶级公司在中国，国内各种电动汽车保有量已超过 400 万台；更有预测说：到 2030 年，中国将占全球电动汽车（EV）电池价值链的三分之二。这说明什么？电动汽车已经成为一种趋势。

2020-11-20 15:40 分类：汽车电子新能源电动汽车

第三代半导体材料展望：SiC功率器件走向繁荣

如今，第三代半导体和前两代相比已经有了质的飞跃。以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

2020-11-18 11:19 分类：工业电子第三代半导体材料 SiC

为什么汽车和工业用FET要选择GaN-on-Si?

为什么汽车和工业用FET要选择GaN-on-Si，而非SiC或其他？ GaN-on-Si 是怎样提高功率密度和电源效率的？目前GaN FET的具体应用有哪些？

2020-11-17 21:15 分类：汽车电子与非观察 TI

氮化镓（GaN）这么重要，到底该怎么设计？

从2015年开始，氮化镓（GaN）这个概念逐渐步入了大众的视线之中，短短五年时间，作为一种新型半导体技术，GaN已发展成为可与硅技术“匹敌”的半导体技术。而随着GaN成本的不断下降，以及小米在今年发布最新10系列手机时同时雷军特别强调发布了GaN充电头后，大众对于这个第三代半导体材料的印象越来越深刻。

2020-11-05 12:37 分类：基础器件 GaN

射频应用：利用硅基氮化镓外延片实现低传导损耗

当前，GaN 的材料的宽带隙可提供出色的击穿电场和高漂移速度，适合制造高功率和高频器件，可应用于军事，国防，航空航天和下一代电信（尤其是 5G 网络）等领域。

2020-10-29 13:13 分类：射频/微波射频 GaN

提高电源IC功率密度为什么要重视集成？

随着对计算密集型数据服务需求的不断增加，在更小空间内提供更多能量的要求越来越高，为的是尽可能实现数据中心的高效运行，这已成为一个必然趋势。数据中心如此，电信、工业自动化、汽车及许多其他应用也同样需要高功率密度的电源系统。

2020-10-26 14:58 分类：基础器件与非观察 TI

GaN已非小功率快充那么low，大功率路线开启在即

近日，有权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业写入正在制定中的“十四五”规划，以期在2021-2025年期间实现产业独立自主。第三代半导体对国民经济的重要意义可见一斑。

2020-10-23 17:04 分类：基础器件与非观察 GaN

手机快充终将成往事 GaN大功率破圈在即

近日，有权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业写入正在制定中的“十四五”规划，以期在2021-2025年期间实现产业独立自主。

2020-10-23 13:27 分类：模拟/电源半导体 GaN

为第三代宽禁带制造工艺提供支持，泰克新推S530系列参数测试系统

基于KTE7的全新S530平台最大化测量性能、降低成本，助力半导体制造商开拓新兴市场。

2020-10-23 07:22 分类：测试测量 GaN 5G通信

科普 | 拓扑设计和封装技术如何突破功率密度障碍

随着工业4.0时代的到来，工业电源、UPS、高电压充电器等对开关器件及其驱动器提出了新的挑战，涉及到开关损耗、可靠性、功率密度等方面。近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体正在实现以前硅材料所无法实现的性能。

2020-10-19 17:55 分类：基础器件工业4.0 GaN

GaN-on-Sapphire生产线在线拍卖

半导体、LED 和太阳能电池先进制造设备领域的领先网络再销售商 SDI-Fabsurplus 今天与其合作伙伴 Hilco Industrial 共同宣布，Fabsurplus.com 和 Hilco 联合举办在线拍卖。

2020-10-19 07:27 分类：工业电子美通社 GaN

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