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英飞凌关于 USB-C PD 充电器的建议和解决方案
资源大小:1.74MB
[摘要] 充电器领域近期的发展和技术进步使工程师在日常生活中面临新的挑战。更高的效率、相同输出功率下更小的占用空间或相同占用空间下更大的功率是当代充电器设计中的主要挑战之一。在本白皮书中,英飞凌为工程师提供了 USB-C PD 充电领域不同解决
英飞凌如何控制和保证SiC基功率半导体的可靠性
资源大小:4.7MB
[摘要] 英飞凌 CoolSiC™ 基于沟道的碳化硅功率MOSFET代表了功率转换开关器件性能因数(FOM)值的显著提高,具有优异的系统性能。这在许多应用中实现了更高的效率、功率密度和降低的系统成本。这项技术也可以被认为是新的应用程
高性能CoolSiC™MOSFET技术具有类似硅的可靠性
资源大小:770.75KB
[摘要] 先进的设计活动主要集中在比电阻领域,作为给定技术的主要基准参数。然而,必须在电阻和开关损耗等主要性能指标与实际电力电子设计相关的其他方面(如足够的可靠性)之间找到适当的平衡。
CoolSiC™ MOSFET:功率转换系统的革命
资源大小:486.78KB
[摘要] 碳化硅(SiC)晶体管越来越多地应用于功率变换器中,对其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅优异的材料特性使快速开关单极性器件的设计成为可能,而不是双极性IGBT器件。因此,只有在低压世界(<600 V)才有可能实现的解决方
5G通信开关电源的主要要求和建议
资源大小:1.1MB
[摘要] 本文概述了现代通信开关电源的主要要求,直接源自5G系统的主要趋势。我们讨论了CoolSiC™ MOSFET 650 V 技术为最新一代通信整流器带来的优势,它成功地满足了高效率和高性能的所有关键设计要求。
Infineon公司介绍

 

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。

英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

 

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