比 SiC 具有更高的带隙（3.4 电子伏特）和更高的电子迁移率。与硅 (Si) 相比，其击穿场强度高出十倍，电子迁移率提高一倍。输出电荷和栅极电荷都比硅 (Si) 低十倍，反向恢复电荷几乎为零，这对于高频操作至关重要。GaN 是现代谐振拓扑中的首选技术，可实现并支持新方法，包括新拓扑和电流调制。英飞凌的 GaN 解决方案基于市场上最稳健和性能最好的概念——增强型 (e-mode) 概念，可提供快速的开关速度。CoolGaN™ 氮化镓产品专注于高性能和稳健性，为许多应用（如服务器、电信、无线充电、适配器和充电器及音频）中的各种系统增加了重要价值。CoolGaN™ 开关简单易用，易于采用英飞凌专用的 GaN EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 进行设计。