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深度追踪,热点解读,产业脉络,抽丝剥茧

  • 重庆万国:硅光器件对SOI硅片的需求分析
    重庆万国:硅光器件对SOI硅片的需求分析
    9月21日,2026国际RF-SOI论坛在上海举行,重庆万国硅光事业部总监朱继光发表主题演讲,分析硅光SOI晶圆顶硅厚度、BOX厚度与衬底电阻率对器件性能的影响。顶硅厚度影响波导损耗、耦合与工艺窗口,220nm主流、270nm平衡;BOX厚度2μm散热更优,3μm利于大模场端面耦合;高阻衬底显著降低行波电极损耗并提升调制器带宽。他还梳理全球代工平台趋势,介绍重庆万国硅光工艺路线。
    1334 09/24 14:22
  • 2026年中国AIoT产业分析报告
    2026年中国AIoT产业分析报告
    进入2026年,AI正在进一步向物联网产业渗透,AI玩具、AI眼镜、智能机器人、智能座舱等端侧应用快速发展,推动物联网模组市场需求持续攀升,同时倒逼模组厂商和芯片厂商重新思考其产品架构、商业模式和竞争壁垒,以期在产业升级中规避降维打击风险,并抢占早期市场高地。
    1754 09/24 12:21
  • 平头哥的“系统级”突围:真武V900发布背后的国产算力竞争逻辑之变
    平头哥的“系统级”突围:真武V900发布背后的国产算力竞争逻辑之变
    2026年的国产AI算力赛道,正在经历一场竞争逻辑的深层切换。 过去几年,行业讨论的核心往往围绕单颗芯片的峰值算力、制程节点和能效比展开,“对标某国际大厂”是常见的叙事方式。但随着大模型参数从千亿迈向万亿、Agent应用将上下文窗口从256K推至1M甚至更高,行业逐渐意识到,单芯片的算力天花板已经很难独立支撑前沿模型的训推需求。与此同时,生态层面的现实更加棘手:数百万开发者深度绑定CUDA生态,不
    1821 09/24 10:49
  • 传台积电2027年初涨价3%–6%,订单能见度至2030年
    传台积电2027年初涨价3%–6%,订单能见度至2030年
    AI算力拉动的产能紧张,正持续传导到晶圆代工定价环节。 据Digitimes援引供应链消息,台积电计划从2027年1月起上调晶圆代工报价,整体涨幅区间为3%‑6%,其中2nm、3nm先进制程涨幅更高;成熟与特色工艺不会统一调价,将根据客户、稼动情况单独议价。 供应链同时提及,当前台积电8英寸产能利用率突破100%,45nm以下制程持续满载,订单能见度已经延伸至2030年。 明确采用差异化调价思路,
    1364 09/24 09:11
  • 6G商用倒计时四五年,中国移动宋丹详解“能力六边形”到底颠覆了什么?
    6G商用倒计时四五年,中国移动宋丹详解“能力六边形”到底颠覆了什么?
    2026国际RF-SOI论坛上,中国移动宋丹提出6G能力六边形,融合通信、感知、AI与空天地一体化,预计2030具备商用条件。6G将把上行速率提至1Gbps、连接密度增10倍、时延降至0.5ms,并推进网络化协作MIMO、AI双向赋能、通感一体及机器人群体智能,依托GTI和1+3+N构建产业生态。
    981 09/23 15:40
  • 国产SoC迎来新入局者,内卷加剧?
    国产SoC迎来新入局者,内卷加剧?
    2026年9月22日,海光信息在深圳发布1000系列CPU,正式杀入嵌入式与端侧算力市场。这家此前只做数据中心芯片的厂商,第一次把触角伸到了工控机和边缘设备里。与此同时,龙芯、瑞芯微、全志也在这条赛道上各自狂奔。国产SoC的内卷,正在从消费电子蔓延到工业场景。但仔细看,四家厂商卷的方向并不相同。 海光 海光1000系列的定位很清晰:低功耗、嵌入式、端侧算力,面向工业自动化、网络边缘、能源公用等场景
    2194 09/23 08:18
  • 2026年万亿美元AI开支,具体花在哪儿?
    2026年万亿美元AI开支,具体花在哪儿?
    2026年,全球AI资本支出要花掉9980亿美元,差不多等于一个中等发达国家全年的GDP体量。按瑞银的估算,这笔钱在2025年是5060亿,2027年进一步升到1.447万亿,两年累计上涨了186%。 这笔万亿美元级别的开支,究竟流向产业链哪些环节? 多出来的钱,九成是存储 比规模更值得琢磨的,是瑞银为什么要把这个预测往上修。 它给的理由相当直接:主要源于存储价格的快速攀升,而非基础设施投资规模的
    1044 09/23 07:59
  • AI驱动系统性变革,GPU能否成为端侧融合计算“重心”?
    AI驱动系统性变革,GPU能否成为端侧融合计算“重心”?
    当AI从云端走向终端,从单一应用渗透到手机、汽车、机器人、PC和边缘设备,半导体产业正经历一场系统性变革。过去“一个任务配一个专用加速器”的思路,正在被多任务并行、资源共享、数据频繁流动的现实打破。CPU、GPU、NPU、DSP各自为战的架构,开始面临同一个问题:数据在外部内存之间来回搬运,能耗、时延和开发成本不断攀升。也正是在这一背景下,GPU的角色被重新审视。 GPU的优势在于可编程性和生态成
    1244 09/21 15:26
  • 沪硅产业:SOI衬底为何是硅光子大规模量产的“理想基座”?
    沪硅产业:SOI衬底为何是硅光子大规模量产的“理想基座”?
    2026年9月21日,2026国际RF-SOI论坛今日在上海浦东香格里拉大酒店隆重举行。上海硅产业集团股份有限公司(NSIG,以下简称“沪硅产业”)常务副总裁李炜受邀出席,并发表题为《硅启未来之光》(Silicon Powers a Brighter Future)的主题演讲,系统阐述了硅光子在AI数据中心浪潮下的市场机遇、SOI衬底的核心价值,以及沪硅产业在SOI领域的战略布局与制造能力。 图
    2500 09/21 12:17
  • 功率半导体的下一场战争——电源架构
    摘要:随着AI数据中心走向800V直流架构、汽车SoC进入PMIC+VRM时代,以及1500V光伏储能推动2kV SiC落地,功率半导体的竞争边界正在从单颗器件扩展到整套电源系统。SiC、GaN和Si不再只是简单替代,而是在不同电压、功率和频率区间重新分工;与此同时,各大头部功率器件厂商也开始从器件供应向Power Platform延伸。下一轮竞争的核心,可能不再是谁的MOSFET参数更高,而是谁
    2712 09/21 09:28
  • 不用迁移 FinFET!22FDX 凭借 ABX IP,在IoT和汽车领域实现对标先进工艺的芯片能效
    不用迁移 FinFET!22FDX 凭借 ABX IP,在IoT和汽车领域实现对标先进工艺的芯片能效
    Racyics发布面向22FDX的ABX自适应体偏置IP,通过动态调节背栅电压收窄PVT角,优化性能、功耗与面积。FBB可提升最坏速度并支持0.40V低电压,RBB可在IoT和汽车Grade 1显著降低漏电与动态功耗,无需迁移FinFET。ABX提供完整签收方法学,已获博世等客户采用。
    1313 09/20 16:47
  • 面向边缘AI,芯原展示FD-SOI从体偏置、MRAM到3D堆叠的量产实践
    面向边缘AI,芯原展示FD-SOI从体偏置、MRAM到3D堆叠的量产实践
    2026年9月20日,在第十一届上海FD-SOI论坛上,芯原股份朱炯介绍其十余年FD-SOI布局与边缘AI实践:已构建完整IP生态,授权47家客户超330次IP、完成49个项目、40次流片;ABB自适应体偏置可使总功耗降约50%、待机功耗降15-25倍;并展示BLE等无线IP、嵌入式MRAM及3D异构集成量产实践,助力可穿戴等边缘AI落地。
    1359 09/20 15:18
  • 6G毫米波与低轨卫星倒逼前端集成,多线圈射频折叠成破局关键
    6G毫米波与低轨卫星倒逼前端集成,多线圈射频折叠成破局关键
    2026上海FD-SOI论坛上,清华大学陈文华提出多线圈射频折叠技术,解决毫米波相控阵前端无源网络面积大的难题,利用多线圈变压器融合功分、匹配、逆变与合成等功能。22nm FD-SOI Doherty功放和T/R前端核心面积约0.09mm²,为6G与低轨卫星提供超紧凑可扩展路线。
    1835 09/20 14:44
  • Soitec :FD-SOI生态全面成熟,从40nm迈向18nm,量产不再是瓶颈
    Soitec :FD-SOI生态全面成熟,从40nm迈向18nm,量产不再是瓶颈
    2026年9月20日上海FD-SOI论坛:Soitec称FD-SOI是边缘AI、汽车电子与5G互联关键,三大市场2030年CAGR约29%/22%/29%;具超低电压、高能效、毫米波及抗攻击优势,生态成熟并拓展至22/18nm与量子硅计算。
    1394 09/20 13:27
  • 王克睿:FD-SOI迎来黄金发展期,新傲芯翼300mm SOI量产提速
    王克睿:FD-SOI迎来黄金发展期,新傲芯翼300mm SOI量产提速
    2026年第十一届上海FD-SOI论坛上,新傲芯翼王克睿指出,FD-SOI凭借超低功耗、毫米波射频及高可靠优势,应用生态日趋成熟;公司正加快300mm SOI量产与产能扩张,覆盖射频、功率、逻辑、硅光、MEMS等,依托沪硅产业实现全链条自主可控,助力中国供应链安全,迎接AI、汽车与6G带来的发展黄金期。
    2468 09/20 11:53
  • 格罗方德CEO:为什么物理AI需要FD-SOI?
    格罗方德CEO:为什么物理AI需要FD-SOI?
    第十一届上海FD-SOI论坛上,格罗方德CEO Tim Breen演讲指出AI正从算力底座走向物理世界,自动驾驶、工业自动化等设备需感知、计算、执行与通信,推动半导体向高性能、低功耗、强连接和集成演进。FD-SOI以低漏电、低失配RF及MRAM/RRAM集成,支撑可穿戴、汽车雷达、软件定义汽车等。未来FDX将聚焦先进材料、AI存储、RF量子与3D集成。
    924 09/20 11:03
  • IBS CEO预测:2030年FD-SOI将拿下38.6%代工市场,成为物理AI理想技术选择
    IBS CEO预测:2030年FD-SOI将拿下38.6%代工市场,成为物理AI理想技术选择
    第十一届上海FD-SOI论坛举办,IBS首席执行官Handel Jones演讲称AI驱动半导体市场至2035年4.7万亿美元,数据中心资本支出飙升;Token成本需大降,物理AI、存储与代工将重塑产业。台积电主导先进制程。FD-SOI低功耗高频优势突出,22nm已量产,预计2030占代工38.6%,适合中国物理AI。
    1524 09/20 10:34
  • 戴伟民:FD SOI与FinFET将双轮并行,把握边缘AI新机遇
    戴伟民:FD SOI与FinFET将双轮并行,把握边缘AI新机遇
    2026年9月20日,上海——今日,第十一届上海FD-SOI论坛在上海浦东香格里拉大酒店浦江楼三楼大宴会厅隆重召开。 作为全球FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术领域最具影响力的年度盛会之一,本届论坛汇聚了来自全球半导体产业链的顶尖企业、学术机构及行业专家,共同探讨FD-SOI技术在边缘AI、汽车电子、5G/6G通信等前沿领域的最新突破与产业化路径。 论坛在芯原股份董事长、首席执行官、总裁戴伟民
    1248 09/20 09:36
  • 从2nm时代的“端侧智能体”分水岭,看联发科天玑9600 Pro的架构野心
    从2nm时代的“端侧智能体”分水岭,看联发科天玑9600 Pro的架构野心
    2026年9月15日,联发科发布天玑9600 Pro与9600M,以2nm全大核架构重构端侧AI智能体与主机级移动游戏体验:2+3+3 CPU、4.55GHz超大核、34.5MB缓存,LPDDR6/UFS5.0,多核峰值功耗降61%;双NPU异构支持端侧30B MoE;G2-Ultra NX GPU落地硬件光追与185帧;ISP融合AI,提升影像、网络与定位。
    1357 09/18 17:29
  • 苹果、联发科、高通同时变阵,手机芯片的旧时代结束了?
    苹果、联发科、高通同时变阵,手机芯片的旧时代结束了?
    摘要:2026年9月,苹果、联发科、高通的新一代旗舰SoC同时释放出一个信号:手机芯片竞争正在从单纯追求CPU、GPU、NPU峰值性能,转向围绕AI重构整颗SoC。2nm带来的红利更多投向能效与持续性能,CPU重新承担Agent编排,GPU开始AI化,NPU走向分层与专用化,缓存、LPDDR6和数据搬运的重要性快速上升。随着AI Agent进入操作系统,旗舰SoC正从“性能芯片”演变为面向持续智能
    2200 09/18 12:55

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