以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料已引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，各国政府都纷纷加紧在该领域的部署，美、日、欧等发达国家已将第三代半导体材料列入国家计划，欲抢占战略制高点。我国经济社会发展对第三代半导体材料和相关应用产业的重大需求，主要体现在建设信息化社会中的构筑高速移动通信网络方面，节能减排中的高效率半导体照明、新一代通用电源、高压大功率电力电子设备方面，国防领域中的大功率雷达、电子对抗、抗辐照抗干扰电子系统方面，以及带动新经济增长点、改善民生等方面。预计到2020年，第三代半导体技术应用将在节能减排、信息技术、国防三大领域催生上万亿元的潜在市场。

国家重点研发计划材料领域设立了“战略性先进电子材料”重点专项，专项以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示关键材料与技术为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，通过材料和器件的设计、制备、集成、应用等环节的关键技术突破和新材料在半导体照明、新型显示、移动通信、智能电网、高速轨道交通、激光加工、高效通用电源等领域的规模应用，抢占产业制高点，支撑信息、能源、交通、制造等领域的可持续发展，带动电子材料产业转型升级,提升行业核心竞争力。

以碳化硅、氮化镓宽近代半导体材料为代表，围绕第三代半导体项目分为命题组和综合组，以光电子（半导体照明、环境监测、紫外光源、激光显示）、电力电子（光伏逆变、工业电机、智能电网、高速铁路、新能源汽车、消费电子）、微波射频（5G、移动基站、卫星通讯、空间遥感）技术应用及周边产品创新内容征集参赛项目。