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台湾IC设计上半年大爆发,模拟IC最抢眼
发表于:2010-07-15 14:37:37 | 分类:分析│市场◎产业
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2010年由于电子产品逐渐进入需求高峰之后的淡季,PC、Notebook、小笔电等成长率趋缓,手机芯片、模拟IC、驱动IC、内存IC等需求处于回升。2010年台湾IC设计业产值突破新台币2300亿元,比去年同期成长35%。这显示2010年初景气复苏渐露曙光,终端市场需求的成长力道已经显现。未来随着全球PC换机潮需求、智能手机普及、中印等新兴市场成长,台湾IC设计业将重新步入成长轨迹。以下为台湾2010年上半年的五十家设计公司排名。从数据可以看出,模拟IC设计公司的成本非常迅速,大都有70%以上的成长率。联发科626.49联咏181.11晨星159.12群联155.02瑞昱124.1奇景115.70擎亚85.21立锜58.49钰创50.09创意47.23晶豪43.89雷凌36.41凌阳34.25智原30.74义隆29.59硅创27.44旭曜26.45力积26.40致新25.88奕力25.39威盛25.32扬智23.70原相22.64联阳22.33松翰21.92盛群20.94凌通18.35富鼎18.01茂达18.74慧荣17.98尼克森16.29硅统14.25伟诠12.21九旸11.02安国10.87普诚10.0

TI(德州仪器)誓做模拟IC的市场领袖
发表于:2010-03-28 18:55:41 | 分类:分析│市场◎产业
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所谓市场领袖,笔者认为,企业的某个或某类产品在该产品市场上居于垄断或主导地位,且在用户心中具有重要影响力的品牌,就是该市场的市场领袖。如果说Intel(英特尔)是CPU市场的大佬,Qualcomm(高通)是手机芯片市场的魁首,TSMC(台积电)是晶圆代工市场的领袖,ARM是IP市场的领袖,估计大家都不会反对。可如果说TI(德州仪器)是模拟IC市场的领袖,估计大家都要拿板砖来拍我。因为TI虽然是最大的模拟IC供应商,其2008年市场份额也才14.1%。紧随其后的STM(意法)为10.9%。笔者27日和TI的两个朋友聚会,谈到了金融危机和去年国内的模拟IC市场的缺货问题。朋友介绍了TI的市场动作、投资和战略布局来看,从中可以看出TI正在为自己打造一条成为模拟IC的市场领袖的路。1、工艺领先,产能保证2009年底,TI宣布将位于达拉斯Richardson 300mm晶圆工厂改造成为全球首个300mm的模拟IC工厂,2010年10月投产,预计带来20亿颗/年的巨大产能。该厂的设备是从破产了的Qimond(奇梦达)公司购买的,价值10亿美元的设备,TI只用了2亿美元的价格,这将大大提升TI模拟IC的成本优势。2009年

我国医疗电子产业面临的机遇
发表于:2010-03-24 18:57:45 | 分类:分析│市场◎产业
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创新技术一直在不断改变人类生活,医疗电子行业的发展可以说是这句话最好的注脚:医疗电子在技术上无所不用其极,在生活中可以大幅改善人类生活质量,并为延长人类寿命做出了卓越贡献。这样的特点也注定了医疗电子在产品设计过程中会一直面对多样的难题与挑战。医疗电子产业的涵盖领域非常广,包括超声波成像、计算机断层扫描等应用电子设备以及电子血压计、血糖仪等消费类终端产品都属于医疗电子领域。在我国的电子信息产业中,医疗电子产业是很重要的一环,是最贴近民生的电子信息产业细分行业之一。随着2009年4月份《电子信息产业调整和振兴规划》的出台以及国家新医改方案的公布,尤其是8500亿元医改的投入,我国医疗电子产业无疑面临着广阔的发展空间,这对我国的医疗电子产业将带来积极的影响。而且政策中特别还强调了要加强在医疗电子产业领域自主创新能力的建设,这无疑为我国医疗电子产业带来了很好的发展机遇。另外,医疗设备行业的高速增长也将刺激医疗电子市场的需求:据预测,当前我国医疗电子市场规模为250多亿元,同比增速在16%以上,超过了全球市场的增长率。为了更好的应对这个难得的发展机遇,要在如下两个方面有所建树:一方面是在医疗信息系统领域;另一方面是在医

我国IGBT器件发展中的问题
发表于:2010-03-16 13:14:12 | 分类:分析│市场◎产业
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前面谈过我国功率半导体的话题,今天谈谈IGBT的情况。由于IGBT器件技术含量高,制造难度大,目前国内生产技术与国外先进水平存在较大差距,技术差距主要表现在:一、设计1、IGBT设计刚起步,水平还远远落后与国际大公司的水平,从PT向NPT发展。目前国内有设计能力的企业包括:北京时代民芯、常州宏微、嘉兴斯达、珠洲南车。只能研发基于穿通型PT工艺的600V和1200V低端产品。2、高端设计人才资源匮乏,现有研发人员的设计水平有待提高,特别是具有国际化视野的高端设计人员非常缺乏。二、制造NPT型IGBT正面工艺虽然和VDMOS基本一致(平面工艺和Trench工艺均可),但是存在两大工艺难点——薄片工艺和背面工艺。工艺上正面的绝缘钝化,背面的减薄国内的FAB做的都不是太好。1、薄片工艺(特定耐压指标的IGBT器件,芯片厚度也是特定的, 需要减薄到200-100um,高端甚至80um,现在国内150um减薄比较有谱,再低就没有能力了。比如在100~200um的量级,当硅片磨薄到如此地步后,后续的加工处理就比较困难了,特别是对于8吋以上的大硅片,难度更大)2、背面工艺(包括了背面注入,退火激活,背