门极驱动芯片EiceDRIVER™介绍

使用无铁芯变压器(CT)和电平转换技术(LS-SOI)的英飞凌EiceDRIVER™系列可以满足电力驱动应用中对高性能栅极驱动器芯片的需求。 通过将EiceDRIVER™芯片与CoolMOS™等 MOSFET、IGBT及分立器件和模块中的碳化硅(SiC)功率器件结合使用，客户可以设计并构建可靠高效的系统。

亮点展示 :

用于MOSFET的1EDN EiceDRIVER™门极驱动IC

单通道MOSFET门极驱动IC是数字控制IC和功能强大的MOSFET及氮化镓开关器件之间的关键环节。MOSFET驱动IC能提供高系统级效率、优良的功率密度和一致的系统稳健性。

1EDN系列：快速、精确、稳定又兼容

特征:

单通道MOSFET门极驱动IC是数字控制IC和功能强大的MOSFET及氮化镓开关器件之间的关键环节。

MOSFET驱动IC能提供高系统级效率、优良的功率密度和一致的系统稳健性。

1EDN系列：快速、精确、稳定又兼容

·
适应快速MOSFET和氮化镓开关的压摆率短至5ns，传播延时精确到+/- 5ns，能实现高效率的开关电源
·
独立的源极和漏极输出简化了应用设计
·
工业标准封装和引脚，易于系统设计升级

用于MOSFET的EiceDRIVER™ 2EDN门极驱动

用于MOSFET的EiceDRIVER™ 2EDN门极驱动设立了耐用性和低功耗的新基准。2EDN进一步强化了现有EiceDRIVER™系列，是数字控制IC和功能强大的MOSFET及氮化镓开关器件之间的关键环节。2EDN MOSFET门极驱动IC能提供高系统级效率、优良的功率密度和一致的系统稳健性。

特征:

双通道MOSFET驱动IC是数字控制IC和强大的MOSFET及氮化镓开关器件之间的关键环节。

2EDN系列：快速、精确、稳定又兼容

·
适应快速MOSFET和氮化镓开关的压摆率短至5ns，传播延时精确到实现高效率的开关电源
·
双5A通道，多种配置选项。1ns通道间精确度允许并联使用双通道
·
工业标准封装和引脚，易于系统设计升级

EiceDRIVER™ 1ED Compact紧凑型门极驱动系列

英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDC Compact宽体封装系列。该系列通过UL 1577认证，在绝缘测试中，达到一分钟VISO = 2500 V(rms)。英飞凌还提供具有功能隔离的1EDI系列产品。提供3.8 mm的DSO-8窄体封装，及7.6 mm爬电距离的DSO-8宽体封装, 进而改善散热性能并优化引脚排列。

特征:

·
单通道高压门极驱动器IC
·
1200 V输入至输出隔离电压
·
提供DSO-8 300 mil宽身体封装，具有7.6 mm的爬电距离
·
适用于600 V / 650 V / 1200 V IGBT，MOSFET和SiC MOSFET器件和模块
·
高达10个典型峰值轨到轨输出
·
适合在高环境温度下工作
·
独立的源和漏输出或有源米勒钳位
·
超过100 kV /μsCMTI
·
为低电感电源优化引脚
·
μController和驱动之间不需要调整信号电压
·
短路夹紧
·
主动关机
应用领域
典型用途
  • 英飞凌Direct Drive技术
  • 1ED020I12-F2/-B2的典型用途
  • 6EDL04I06NT典型用途
  • 典型驱动应用
数据手册下载
视频库
  • 英飞凌Direct Drive技术
    1EDN EiceDRIVER™ Gate-Driver-ICs for MOSFETs & IGBTs
  • 单通道驱动器1ED020I12-F2/-B2的典型用途
    An Introduction to Infineon Gate Drivers
技术文档推荐

工业和通用门驱动IC.pdf

电源管理选择指南2017.pdf

电池驱动马达驱动器.pdf

非隔离栅极驱动器IC 1EDN EiceDRIVER系列.pdf

应用手册3D打印机.pdf

用于电动车辆（EV）充电的电源.pdf

应用笔记EiceDRIVERIC结温.pdf

非隔离栅极驱动器IC 2EDN EiceDRIVER系列.pdf