北京小王儿

      做为一名电子工程师，您听说过铁电吗？了解F-RAM吗？如果没有的话，那么帅哥，你就out啦！
 
      >>活动请进

近来许多工程师一直在问我，与非有什么新的基于厂商产品的活动吗？一些参加过飞思卡尔易或ST活动的工程师尤为活跃，为了让大家有个充分的参与到活动的准备，在这里我可以提前透露给大家个好消息，基于Ramtron三款产品的创意征文活动，马上就要开始了。那么，是哪三款产品呢？马上，我就为大家娓娓道来~

  不过首先，作为电子菜鸟的我，也需要和大家一起再重温一下关于F-RAM的基础知识，到底什么是F-ARM呢？它与一般存储器相比较，优越性又在哪里体现呢？

玩过嵌入式+EEPROM的人应该知道，掉电时信息存储EE是个难点，因为每写一个字节需8ms，用个1000微法的大电容延迟掉电也只能确保写不满10个字节的时间，而这个难题被FRAM轻易就解决了。

什么是F-RAM

半导体存储器入门 相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于使用，高性能，但它们有着共同的弱点：在掉电的情况下会失去所保存的数据。 F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜，通常被称为PZT（图1）。

PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-RAM在电源被关闭或中断时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。 F-RAM、ROM都属于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可编程只读存储器）和Flash存储器，可以被擦除，并多次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于ROM技术的存储器读写周期有限（仅为1E5次），使它们不适合高耐性工业应用。 F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10,000倍的耐性，低于3,000倍的功耗和将近500倍的写入速度（图 2）。

F-RAM结合了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器相比，具有高速、低功耗、长寿命的特点。

有了对F-RAM最基本的了解，我们再逐步对此次活动围绕的三款产品逐级渗透。

VRS51L3074

VRS51L3074是一个基于8051的高性能微控制器，它结合了一系列完全集成的外设功能，可以用在宽范围的嵌入式设计应用中。 VRS51L3074由3.3V的电压供电，可在整个工业级温度范围内工作，并提供QFP-64的封装。（参见QFP-44封装的VRS51L3074——其引脚与行业标准的8051微处理器封装兼容）

产品框图：

 

状态保持器

非易失性状态保持器可按要求保存信号状态，并在上电时自动恢复到正确状态。Ramtron非易失性状态保持器：

对非易失性系统设置提供不间断的访问，无需执行存储器的读操作
能够实现变化频繁信号的存储，且毋须预先通知
在无需增加系统开销和串行存储器引脚的情况下进行系统设置的非易失性存储

上电恢复开关/继电器

Ramtron非易失性状态保持器可以记录最后状态并在上电时立即自动恢复。

上电恢复LED的状态

Ramtron非易失性状态保持器可以在上电时自动恢复LED状态。

FM6124

特殊器件

Ramtron特殊多功能产品融合了快速读写性能和具备特殊性能，高耐久性的非易失F-RAM(铁电随机存储器)以及特殊功能，以建立真正独特的IC解决方案。


ok,我们的活动就是基于上述三款产品基础上进行的创意征集，欢迎大家结合自己的实际工作，发挥各自创意灵感，结合Ramtron产品特性，整合到实际的项目开发中来。活动的同时，为了力求创意征文的高质量，提高参与活动工程师的亲自动手能力，我们会申请到部分EDR开发套件，方便大家的组态与自动编程。在活学活用与灵活创作中，方便完善您的开发产品。您所需要做的，就是点颗烟，动动笔杆儿，转转脑筋。没准儿大奖，就在那儿等着您拿了~