1461
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。接下来小编给大家介绍一下MOS管和场效应管有什么区别？以及N沟道MOS管工作原理及N沟道MOS管用途！
1.MOS管和场效应管有什么区别？
1、主题不同
场效应管： V型槽 MOS场效应管。它是继 MOSFET之后新兴的高效功率开关器件。
MOS管：金属-氧化物-半导体场效应管属绝缘栅型。
2、特性不同
场效应管： MOS场效应管不仅继承了输入阻抗高(≥108 W)、驱动电流(约为0.1μ A)，而且还具有耐压高(最高可耐压)、工作电流(1.5 A~100 A)、输出功率高(约为108 W)、驱动电流(约0.1μ A)等优良特性。
MOS管：其主要特征是金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。
3、规则不同
场效应管：功率晶体管的优点集于一身，因此在电压放大器(电压放大倍数达到数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器等方面得到了广泛的应用。
MOS管：当 VGS=0时是处于截止状态，再加上正确的 VGS，大部分载体会被吸引到栅极上，从而“加强”这一区域的载体，形成导电沟道。
1、主题不同
场效应管： V型槽 MOS场效应管。它是继 MOSFET之后新兴的高效功率开关器件。
MOS管：金属-氧化物-半导体场效应管属绝缘栅型。
2、特性不同
场效应管： MOS场效应管不仅继承了输入阻抗高(≥108 W)、驱动电流(约为0.1μ A)，而且还具有耐压高(最高可耐压)、工作电流(1.5 A~100 A)、输出功率高(约为108 W)、驱动电流(约0.1μ A)等优良特性。
MOS管：其主要特征是金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。
3、规则不同
场效应管：功率晶体管的优点集于一身，因此在电压放大器(电压放大倍数达到数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器等方面得到了广泛的应用。
MOS管：当 VGS=0时是处于截止状态，再加上正确的 VGS，大部分载体会被吸引到栅极上，从而“加强”这一区域的载体，形成导电沟道。
2.N沟道MOS管工作原理及N沟道MOS管用途！
NMOS晶体管的工作原理： 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N区(N区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。 NMOS晶体管简介： NMOS英文全称为：NMentalOxideSemiconductor。 意思为N型金属氧化物半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。 n沟道增强型mos管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时id几乎不随vds而变化,即不同的vds所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vds大于某一数值(vds＞vgsvt)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线. mos管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型mos管中不用夹断电压vp ，而用开启电压vt表征管子的特性。 n沟道耗尽型mos管 结构：n沟道耗尽型mos管与n沟道增强型mos管基本相似。 区别：耗尽型mos管在vgs=0时，漏－源极间已有导电沟道产生 增强型mos管要在vgs≥vt时才出现导电沟道。 原因：制造n沟道耗尽型mos管时，在sio2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子na或k(制造p沟道耗尽型mos管时掺入负离子)，因此即使vgs=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的p型衬底表面也能感应生成n沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vds，就有电流id。 如果加上正的vgs，栅极与n沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，id增大。反之vgs为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，id减小。当vgs负向增加到某一数值时，导电沟道消失，id趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用vp表示。与n沟道结型场效应管相同，n沟道耗尽型mos管的夹断电压vp也为负值，但是，前者只能在vgs<，vp。
