mos管和igbt的区别 mos管工作原理

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（MOSFET）是一种常用的半导体器件，与之类似的还有 Insulated-gate bipolar transistor（IGBT）。本文将介绍MOS管和IGBT之间的不同以及MOS管的工作原理。

1.MOS管和IGBT的区别

MOS管和IGBT虽然都属于功率器件，但是在性能上存在一些明显的区别。其中最重要的差异在于：MOS管是一个单极性开关，而IGBT则是双极性开关。

① MOS管可以处理高电压和大电流，但是性能不如IGBT。它具有很低的电阻值，因此在开启状态下，芯片内部热耗损非常小。

② 而IGBT则是为了结合双极性晶体管的低驱动功耗和MOS管的低导通压降而诞生的器件。IGBT内部集成了P型和N型晶体管结构以及MOS衬底区域，因此它的结构比较复杂。在导通状态下，电压降低约2V。

2.MOS管工作原理

MOS管可以看做是一个三极管结构，在基底上覆盖一层氧化物（SiO2）制成的绝缘层，这就是“金属-氧化物-半导体”（MOS）的来源，也是MOS管名称的来源。

当控制端的信号为零时，栅电极就不会通电，此时MOS管的P型半导体中的空穴无法由电子储存器流到N型半导体中。所以MOS管处于截止状态。当加入正压后，就会产生强电场使空穴向邻近的半导体中扫描，形成电流，使MOS管进入导通状态。由于靠近孔道的区域电阻值很小，并且S/D间隙非常小，因此芯片内热损耗非常小。