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常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料
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MDDG03R04Q,低内阻大电流 服务器和新能源的好帮手
在服务器电源、工业驱动及新能源领域,MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求,MDD半导体推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术,为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。 一、产品概述:PowerTrench工艺与屏蔽栅技术的融合 MDDG03R04Q采用MDD的Trenc
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